型号：7N90-LC
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω（@VGS=10V, ID=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：约260pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F 或 TO-220FP（带金属化散热片）

7N90-LC具备出色的高压处理能力，其900V的漏源击穿电压使其适用于全球通用的交流输入环境，尤其是在离线式开关电源设计中表现出色。该器件采用优化的平面栅极技术，在保证高耐压的同时实现了较低的导通电阻，从而有效降低了导通损耗，提高了系统整体效率。其RDS(on)典型值为1.2Ω，在同类900V MOSFET中处于较优水平，有助于减少发热并提升功率密度。此外，7N90-LC具有较快的开关速度，能够支持数十千赫兹甚至更高的开关频率，适用于高频SMPS拓扑结构如反激、正激、LLC谐振变换器等。
　　该器件还具备良好的热稳定性与热阻特性，TO-220封装形式提供了优良的散热路径，便于安装散热器以增强热管理能力。其最大结温可达150°C，并支持宽泛的工作温度范围，适用于工业级应用场景。栅源电压高达±30V，增强了对栅极驱动电路异常情况（如电压过冲）的容忍度，提升了系统的鲁棒性。内置体二极管具有一定的反向恢复能力，但其trr约为45ns，属于中等水平，因此在高频应用中建议配合软开关技术或使用外加快恢复二极管来进一步降低开关损耗。
　　7N90-LC还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中保持稳定，避免因电压尖峰导致的永久性损坏。这一特性对于雷击、负载突变或电感放电引起的浪涌环境尤为重要。其高可靠性设计使其适用于长时间连续运行的设备，如工业电源、LED驱动电源、空调压缩机控制模块等。总体而言，7N90-LC是一款兼顾高性能与可靠性的高压MOSFET，特别适合中高端功率转换系统使用。

7N90-LC主要应用于各类中高功率开关电源系统，包括AC-DC适配器、PC电源、服务器电源模块以及工业用直流供电单元。其900V的耐压能力使其可直接用于整流后的母线电压切换，尤其适用于宽电压输入范围（如85VAC~265VAC）的离线式电源设计。在反激式转换器中，7N90-LC作为主开关管能够实现高效的能量传递，并通过PWM控制器进行精确调节。此外，它也被广泛用于LED照明驱动电源，特别是在大功率户外照明、隧道灯、工矿灯等需要长寿命和高可靠性的场景中。
　　在新能源领域，7N90-LC可用于小型太阳能逆变器或光伏汇流箱中的DC-DC升压环节，协助实现最大功率点跟踪（MPPT）功能。其良好的热特性和长期稳定性确保了在户外恶劣环境中仍能可靠运行。同时，该器件也适用于家电类电机控制电路，例如变频空调、洗衣机、冰箱中的压缩机驱动模块，作为功率开关实现电能的高效调控。
　　除此之外，7N90-LC还可用于UPS不间断电源、焊接设备、电子镇流器、充电器（如电动车充电桩辅助电源）等多种电力电子装置中。由于其封装兼容性强，易于替换和维修，因此在工业自动化控制系统中也有广泛应用。其综合性能使其成为多种中等功率等级电力变换系统的理想选择。

STP9NK90ZFP
　　IRF9N90
　　FQA7N90