时间：2025/12/27 8:20:22
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7N80L-TQ2-R是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，专为高效率开关电源应用而设计。该器件封装在小型化的TSSOP-24或类似薄型表面贴装封装中（具体取决于制造商定义的‘TQ2-R’后缀），具备优良的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电子设备中的功率转换模块。7N80L-TQ2-R具有800V的漏源击穿电压（BVDSS），能够承受较高的电压应力，适合用于离线式开关电源、AC-DC转换器、DC-DC变换器以及LED照明驱动等需要高耐压能力的应用场景。该MOSFET通过优化栅极电荷和导通电阻之间的平衡，在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，从而提升整体系统效率。此外，该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态电压冲击特性，增强了其在恶劣电气环境下的可靠性。产品符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
型号：7N80L-TQ2-R
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：800V
连续漏极电流（ID）：7A（@25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：28A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（max @ VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：3~5V
输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
输出电容（Coss）：150pF（@VDS=25V）
反向恢复时间（trr）：< 30ns
最大功耗（PD）：50W（@TC=25°C）
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TSSOP-24 或 Power TQFN-24（依据厂商规格）
7N80L-TQ2-R的核心特性之一是其高达800V的漏源击穿电压，使其能够在高压环境中稳定运行，尤其是在离线式电源设计中无需额外复杂的电压钳位电路即可直接接入整流后的市电母线电压。这一高耐压能力结合7A的额定漏极电流，使器件可广泛应用于中小功率电源适配器、工业控制电源及LED恒流驱动等领域。
另一个显著特点是其低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为1.2Ω，这有效降低了器件在导通状态下的I2R损耗，提高了系统的能效表现。同时，该MOSFET经过优化的栅极电荷（Qg）参数，典型值约为45nC，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而支持更高频率的操作，减小磁性元件体积，提升功率密度。
器件具备出色的热稳定性与长期可靠性，内部结构采用先进的场板设计和终端钝化技术，抑制了局部电场集中现象，提升了器件在高温和高湿环境下的耐久性。此外，7N80L-TQ2-R具有较强的雪崩能量承受能力，可在突发过压或负载突变情况下避免永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。
该MOSFET还集成了快速体二极管，反向恢复时间短于30ns，减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了关断过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），特别适用于硬开关拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器等。
封装方面，TQ2-R代表一种薄型、引脚优化的表面贴装封装，具备良好的散热路径和机械强度，支持自动化贴片生产，适用于回流焊工艺，并能在有限空间内实现高效的热量传导至PCB，确保长时间工作的温度可控性。
7N80L-TQ2-R广泛应用于各类中高电压、中等功率的电力电子系统中。典型用途包括：开关模式电源（SMPS），特别是用于笔记本电脑、显示器、路由器等设备的AC-DC适配器；LED照明驱动电源，尤其是隔离式恒流源设计，利用其高耐压特性直接连接高压直流母线；工业级电源模块，如PLC供电单元、传感器电源和小型逆变器；家电类电源系统，例如空调、洗衣机和微波炉中的辅助电源（Auxiliary Supply）；此外，它也适用于电池充电器、POS机电源、智能电表电源部分以及电信设备中的DC-DC初级侧开关元件。由于其优异的开关性能和热稳定性，该器件还可用于高频变压器驱动和同步整流以外的主开关管配置，在反激和正激拓扑中表现出色。对于需要满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准的产品，7N80L-TQ2-R凭借其低损耗特性成为理想选择。
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"FQP8N80C",
"STP8NK80ZFP",
"KSC8N80",
"APW8N80E",
"IRFBC80"
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