时间：2025/12/27 8:34:01
阅读：32
7N70G-TA3-T是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率功率控制的场合。该器件设计用于在高达100V的漏源电压下工作，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在中等功率水平下实现高效的能量转换。7N70G-TA3-T通过优化晶圆工艺和封装技术，在保证高可靠性的同时降低了整体系统损耗。其栅极阈值电压适中，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与控制器或驱动IC直接接口。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，适用于工业控制、消费电子及电信设备中的各种功率管理应用。器件符合RoHS环保要求，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造需求。
型号：7N70G-TA3-T
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：100 V
最大栅源电压(VGS)：±20 V
连续漏极电流(ID)@25°C：7 A
脉冲漏极电流(IDM)：28 A
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：0.14 Ω
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：0.17 Ω
栅极电荷(Qg)@10V：26 nC
输入电容(Ciss)：590 pF
反向恢复时间(trr)：38 ns
二极管正向电流(IS)：7 A
功耗(PD)：125 W
工作结温范围(TJ)：-55 ~ +150 ℃
封装：TO-252 (D-Pak)
