7N65TF 时间：2025/5/15 11:17:27 阅读：10

7N65TF是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该器件通常应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率控制的场景中。
　　该芯片通过优化栅极电荷和导通电阻，在高频开关应用中表现出色，同时具备低反向恢复电荷特性，能够显著降低开关损耗。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：7A
　　导通电阻（典型值）：0.25Ω
　　栅极-源极电压：±20V
　　功耗：15W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

7N65TF具有高耐压能力，适用于高达650V的工作环境，确保其在高压条件下的稳定性。
　　其低导通电阻可以减少导通损耗，提高整体效率。
　　内置快速恢复体二极管，有助于降低反向恢复时间，从而减少开关损耗。
　　具备良好的热性能，能够在较高的结温范围内稳定工作。
　　采用标准TO-220封装，便于安装和散热设计。
　　该器件还具有较强的抗雪崩能力和短路保护功能，提高了系统可靠性。