时间：2025/12/27 7:24:33
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7N65KL-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的高压离线式电流模式PWM（脉宽调制）控制器，专为反激式开关电源转换器设计。该器件集成了多种保护功能和优化特性，适用于中低功率AC-DC电源应用。7N65KL-TN3-R采用先进的BiCMOS制造工艺，具有低启动电流和运行电流，从而提高了系统效率并降低了待机功耗。该芯片内置了650V耐压的MOSFET，使其能够直接应用于通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的电源系统中，无需额外的外部高压启动电路或复杂的驱动结构。此外，7N65KL-TN3-R支持准谐振（Quasi-Resonant, QR）工作模式，在MOSFET漏源电压最低点时导通，显著降低了开关损耗，提升了整体能效，并减少了电磁干扰（EMI）。该器件还具备频率折返、突发模式控制等功能，以进一步优化轻载和空载条件下的效率表现。
型号：7N65KL-TN3-R
制造商：Diodes Incorporated
封装类型：TO-220-7
引脚数：7
内置MOSFET耐压：650V
输出功率范围：典型10W至65W
启动电流：< 1.5μA
工作电流：约4.5mA（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
最大结温：150°C
反馈输入电压阈值：约2.5V
振荡器频率范围：50kHz 至 115kHz（可调）
控制模式：电流模式PWM
拓扑结构支持：反激式（Flyback）
保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（Leading Edge Blanking）
调节精度：±1% 基准电压
驱动能力：栅极驱动输出兼容N沟道MOSFET
7N65KL-TN3-R具备多项先进特性，使其在中等功率离线电源应用中表现出色。首先，其内置650V超级结MOSFET不仅简化了电路设计，还增强了系统的可靠性和抗浪涌能力，能够在宽输入电压范围内稳定运行。其次，芯片采用准谐振（QR）控制机制，通过检测变压器去磁完成后的谷底电压点来触发MOSFET导通，实现零电压开关（ZVS），大幅降低开通损耗，提高转换效率，同时减少高频噪声辐射，有助于满足严格的EMI合规要求。
该器件集成智能频率折返功能，随着负载减轻自动降低开关频率，在重载时保持高效率的同时，确保轻载和待机状态下仍具有出色的能效表现。此外，它支持自动进入突发模式（Burst Mode），当负载极低时周期性地关闭和开启PWM操作，有效抑制音频噪声并进一步降低待机功耗，符合国际能源标准如Energy Star和DoE Level VI。
保护机制方面，7N65KL-TN3-R集成了多重安全功能。包括精确的过压保护（OVP），可通过外部电阻分压网络设定；过温保护（OTP）在芯片温度超过阈值时自动切断输出，防止热损坏；过流保护（OCP）具有逐周期限流能力，并结合前沿消隐技术避免因电流尖峰引起的误触发。另外，内部软启动电路可防止启动过程中产生过大的冲击电流，提升系统可靠性。所有这些特性均通过高度集成的设计实现，减少了外部元器件数量，降低了整体BOM成本和PCB面积占用，特别适合空间受限且对成本敏感的应用场景。
7N65KL-TN3-R广泛应用于各类中小功率AC-DC电源适配器与电源模块中，尤其适合需要高效、低待机功耗和紧凑设计的消费类电子产品。典型应用包括手机充电器、平板电脑电源适配器、路由器和网络设备供电单元、智能家居控制面板电源、LED照明驱动电源以及小型家电中的嵌入式电源系统。由于其支持宽输入电压范围和高集成度，也常用于工业控制领域的辅助电源设计，例如PLC模块、传感器供电、继电器驱动等场合。
此外，该器件适用于要求符合国际能效标准的产品开发，如欧盟CoC Tier 2、美国能源部（DoE）Level VI、Energy Star等规范，因此被广泛用于出口型电源产品设计中。在通信设备中，7N65KL-TN3-R可用于构建隔离式DC-DC变换器的初级侧控制电路，提供稳定的电压输出并具备良好的瞬态响应能力。其准谐振工作模式带来的低EMI特性，使得在医疗电子设备或测量仪器中也能找到应用，尤其是在对电磁兼容性有较高要求但功率需求不高的辅助电源部分。总之，凡是需要将交流市电转换为稳定直流电压的小型化、高效率电源系统，7N65KL-TN3-R都是一个极具竞争力的选择。
APX7G65R, APX7G65L, SG6565Q
