型号：7N65-HC
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：7 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.95 Ω 最大值
　　导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：1.2 Ω 最大值
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1 ~ 4.0 V
　　总栅极电荷（Qg）@10V Vds=530V：45 nC 典型值
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间（trr）：30 ns 典型值
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：DPAK (TO-252)

7N65-HC的核心特性源于其基于英飞凌专有的CoolMOS? CFD（Charge Balance Device）技术，这种技术通过在漂移区引入电荷平衡机制，显著降低了单位面积下的比导通电阻（Rds(on)*A），从而在相同封装下实现了更高的功率密度和更低的导通损耗。相较于传统的超结MOSFET，该器件在保持高击穿电压的同时，大幅优化了动态参数，如栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），有效减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作的可行性。
　　另一个重要特性是其出色的热稳定性和抗雪崩能力。7N65-HC经过设计优化，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，其正温度系数的漏极电流特性使得并联使用时电流分配更加均匀，避免局部过热问题。此外，该器件具备一定的单脉冲雪崩能量耐受能力（EAS），可在异常工况下吸收一定的过压能量而不发生永久性损坏，提高了系统的鲁棒性。
　　在电磁兼容性方面，7N65-HC通过优化内部结构和寄生参数，降低了dv/dt和di/dt引起的噪声干扰，配合外部电路可实现较低的EMI水平，有利于简化滤波器设计。其体二极管也经过特别优化，具有较短的反向恢复时间（trr）和较小的反向恢复电荷（Qrr），减少了反向恢复带来的尖峰电压和额外损耗，尤其在硬开关拓扑中表现突出。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造需求。其DPAK封装具备较强的机械强度和良好的散热性能，可通过PCB上的铜箔或散热片进行有效热传导，延长使用寿命。

7N65-HC主要应用于需要高效率、高可靠性的中低功率开关电源系统中。典型应用场景包括工业级AC-DC适配器、电信整流模块、服务器电源单元（PSU）、网络设备供电模块以及LED照明驱动电源。在这些应用中，该MOSFET通常作为主开关管用于反激变换器或有源钳位正激拓扑中，承担能量传递和电压调节的关键任务。
　　在消费类高端电源产品中，如80 PLUS金牌或铂金认证的电源，7N65-HC因其低导通损耗和优秀开关特性，有助于实现90%以上的转换效率目标。此外，在太阳能微型逆变器和储能系统的辅助电源部分，该器件也能胜任高压直流输入条件下的稳定工作。
　　在电机控制领域，尽管其电流等级有限，但在小功率变频器或风扇驱动电路中也可作为上桥或下桥开关使用，特别是在需要宽输入电压范围（如通用输入85–265V AC）的设计中表现出色。同时，由于其具备良好的瞬态响应能力和温度稳定性，也被用于电池充电管理系统（BMS）中的隔离式DC-DC转换环节。
　　此外，7N65-HC还可用于各类工业自动化设备的板载电源模块，如PLC、HMI、传感器供电等场合，提供紧凑且高效的电源解决方案。其高电压额定值使其能够直接连接整流后的母线电压，无需额外的降压预稳压电路，从而简化系统架构并降低成本。

IPP65R190CFD
　　IPP65R190E
　　STL6N65M5