类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻RDS(on) @VGS=10V：典型值0.95Ω，最大值1.2Ω
　　导通电阻RDS(on) @VGS=12V：典型值0.85Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值850pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：典型值190pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值28ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.3V @ IS=0.5A
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装
　　功耗（PD）：50W（Tc=25°C）
　　通道数：单通道

7N60G-TQ2-R具备优异的动态性能和低导通损耗，是高效能电源系统中的理想选择。其核心特性之一是优化的RDS(on)与栅极电荷（Qg）之间的平衡，这使得器件在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提高整体系统效率。该MOSFET采用先进的平面栅极工艺制造，确保了稳定的电气特性和长期可靠性。在高温工作环境下，其导通电阻随温度上升的变化较小，具有良好的热稳定性，有助于防止热失控现象的发生。
　　器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr ≈ 28ns），可有效减少在桥式或同步整流电路中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在异常电压瞬变情况下的鲁棒性，适用于电网波动较大或存在雷击风险的应用环境。
　　7N60G-TQ2-R的TO-252封装不仅提供了良好的散热路径，还支持自动回流焊工艺，便于大规模生产。其引脚设计符合工业标准，兼容现有PCB布局，降低了替换和升级成本。栅源电压可达±30V，具备较强的抗过压能力，提升了在复杂驱动电路中的安全性。同时，该器件通过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，确保在严苛工况下长期稳定运行。

7N60G-TQ2-R广泛应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）中，尤其适合需要高电压隔离和高效率转换的场合。常见应用包括：通用离线式AC-DC适配器和充电器，用于笔记本电脑、消费类电子产品及工业设备；LED恒流驱动电源，特别是在户外照明、商业照明和工业照明系统中，要求长寿命和高可靠性；低功率电机驱动电路，如风扇、泵类设备中的控制模块；光伏逆变器中的辅助电源部分；以及电子镇流器、POS终端电源、小型UPS不间断电源等。
　　由于其具备600V耐压能力和良好的热性能，该器件也适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑结构的电源设计。在待机电源（Standby Power Supply）中，7N60G-TQ2-R能够在轻载条件下实现高效率，满足能源之星（Energy Star）和欧盟CoC Tier 2等能效标准。此外，在智能电表、网络通信设备电源模块中也有广泛应用。得益于其表面贴装封装，特别适合需要自动化生产和紧凑布局的现代电子产品设计。

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　　 "7N60G",
　　 "APT7N60B",
　　 "STP7NK60ZFP",
　　 "FQP7N60C",
　　 "KIA7N60",
　　 "TK7A60W"
　　]