时间：2025/5/9 16:07:01
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7N60是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种功率转换和开关应用。7N60通常用于高频DC-DC转换器、开关电源、电机驱动和其他需要高效功率管理的场景。
这款MOSFET采用TO-220封装形式，能够承受较高的电流负载，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：7A
栅极-源极电压（最大）：±20V
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：0.9Ω
输入电容：1050pF
开关时间（典型值）：开通延迟时间：48ns，关断传播时间：25ns
功耗：36W
工作结温范围：-55℃至+150℃
7N60的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达600V的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻设计，能够在大电流条件下保持较低的功率损耗。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高效率。
4. 稳定的工作温度范围，适合各种工业和消费类电子设备。
5. TO-220封装提供了良好的机械稳定性和散热性能。
6. 优秀的电气特性和可靠性，可确保长时间运行。
7N60广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和电源管理。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 电机驱动电路，控制直流或无刷电机的运行。
5. 各种工业自动化设备中的功率切换功能。
6. 其他需要高电压、高效率功率管理的场合。
IRF740
FQP12N60
STP7NK60Z
