型号：7N20L-TM3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：700V
　　最大栅源电压（V_GS）：±30V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：7A
　　连续漏极电流（I_D）@100°C：3.5A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：28A
　　功耗（P_D）：60W
　　导通电阻 R_DS(on) @ V_GS = 10V：0.23Ω（最大）
　　导通电阻 R_DS(on) @ V_GS = 10V, I_D = 3.5A：典型值约0.19Ω
　　阈值电压 V_GS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容 C_iss：1100pF @ V_DS=25V
　　输出电容 C_oss：190pF @ V_DS=25V
　　反向恢复时间 t_rr：30ns
　　工作结温范围 T_J：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围 T_stg：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerDI5060-8L

7N20L-TM3-R具备多项优异的电气与热力学特性，使其在高电压、高频率的功率转换应用中表现出色。首先，其700V的高击穿电压能够有效应对瞬态过压情况，确保在离线式电源应用中的安全性和稳定性，尤其适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的反激式或正激式拓扑结构。其次，该器件采用了优化的沟槽栅极技术和超结（Super Junction）结构设计，在保证高耐压的同时显著降低了导通电阻R_DS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。
　　此外，7N20L-TM3-R具有良好的热传导性能，得益于其PowerDI5060-8L封装底部大面积裸露焊盘设计，可高效地将热量传递至PCB，提升散热能力，延长器件寿命。该封装还具备较小的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统EMC性能。
　　在动态特性方面，该MOSFET拥有较低的输入和输出电容，使得其在高频开关环境下仍能保持快速的开关响应速度，降低开关损耗，特别适合用于工作频率在几十kHz到数百kHz之间的电源设计。同时，其较短的反向恢复时间t_rr减少了体二极管反向恢复带来的能量损耗和噪声问题，进一步提升了系统效率与可靠性。
　　另外，7N20L-TM3-R内置了较强的抗雪崩能力和良好的dV/dt抗扰度，能够在异常工况如负载突变或短路情况下维持稳定运行。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备出色的长期可靠性，支持长时间连续工作于高温高湿环境。综合来看，这些特性使7N20L-TM3-R成为工业电源、消费类电子及汽车辅助电源系统中的理想选择。

7N20L-TM3-R主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率、小体积和高可靠性的场合。常见应用包括：离线式AC-DC反激变换器，用于电视机、显示器、路由器等消费类电子产品的主电源或待机电源；LED恒流驱动电源，特别是在高亮度LED照明系统中作为主开关管使用；低功率DC-DC转换器，如PoE供电模块中的二次侧开关元件；工业控制设备中的隔离电源模块，提供稳定的直流电压输出；家电类产品中的辅助电源单元（Auxiliary Power Supply），例如空调、洗衣机中的小功率供电电路。
　　此外，由于该器件通过了AEC-Q101车规认证，因此也可用于车载信息娱乐系统、车载充电器（OBC）的辅助电源、车身控制系统等非牵引类汽车电子应用。在通信基础设施中，它可用于基站电源、光模块电源等对可靠性和散热要求较高的场景。其高耐压、低导通电阻和良好热性能的特点，使其在宽输入电压范围、高环境温度条件下依然保持稳定运行，满足多种严苛应用场景的需求。

FQP7N20L
　　STP7NK80ZFP
　　KSD7N20T
　　APW7N20L-13