型号：7N20G-TM3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：7 A
　　脉冲漏极电流（ IDM）：28 A
　　最大功耗（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.26 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32 Ω @ VGS = 5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：520 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：140 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：36 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.6 V
　　栅极电荷（Qg）：35 nC @ VDS = 180 V
　　工作温度范围：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装
　　符合标准：RoHS, 无卤素

7N20G-TM3-R采用Vishay成熟的平面MOSFET工艺，实现了优异的电学性能与热稳定性之间的平衡。其核心优势之一是具备较低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为0.26Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这对于高频率开关电源尤为重要，因为在高频下导通损耗占总损耗的主要部分。此外，该器件在VGS=5V时仍能保持0.32Ω的低导通电阻，表明其具备良好的逻辑电平兼容性，可直接由控制器或驱动IC驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET的输入电容（Ciss）为520pF，输出电容（Coss）为140pF，在200V耐压等级的器件中属于较低水平，有助于减少开关过程中的充放电损耗，从而提高开关速度并降低动态损耗。其栅极电荷Qg为35nC（在VDS=180V条件下测得），这一数值适中，意味着在保证快速开关的同时不会对驱动电路造成过重负担，有利于实现高频高效运行。
　　7N20G-TM3-R内置的体二极管具有36ns的反向恢复时间（trr），表现出较快的恢复特性，减少了反向恢复过程中产生的尖峰电流和电磁干扰（EMI），提升了系统的可靠性和EMI性能。同时，该二极管的正向压降VSD为1.6V，处于同类产品的合理范围内，确保在续流期间的能量损耗可控。
　　在可靠性方面，该器件的工作结温范围高达+150°C，结合TO-252封装良好的热传导能力，使其能够在高温环境下稳定运行。其具备一定的雪崩耐量，能够承受一定程度的电压过冲而不发生永久性损坏，提高了在异常工况下的生存能力。此外，产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和压力测试等，确保长期使用的稳定性与一致性。

7N20G-TM3-R广泛应用于多种中等功率的电力电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的开关电源设计中表现突出。典型应用包括离线式AC-DC反激变换器（Flyback Converter），用于电视机、显示器、笔记本电脑适配器等消费类电子产品电源模块中，作为主开关管使用。其200V的耐压能力足以应对整流后的高压直流母线电压，并能在轻载和满载条件下保持高效运行。
　　在DC-DC转换器拓扑中，如升压（Boost）、降压（Buck）或半桥结构中，该器件可用于功率级开关元件，尤其适用于工业电源、通信电源及LED恒流驱动电源。由于其具备良好的热性能和表面贴装封装，适合自动化生产，因此在大批量制造场景中具有明显优势。
　　此外，该MOSFET还可用于电机控制电路中的低端开关、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类电子负载和电源保护电路。其快速开关能力和较低的导通损耗使其在PWM调光LED驱动电路中也能发挥良好作用，有助于提升调光精度和系统效率。
　　在太阳能微逆变器、小型UPS不间断电源和智能电表等新兴应用领域，7N20G-TM3-R也因其性价比高、性能稳定而被广泛采用。其符合RoHS和无卤素要求，满足现代电子产品对环保和安全的严格标准，适用于出口型产品和高端工业设备。

[
　　 "STP7NK20ZFP",
　　 "FQP7N20L",
　　 "IRFPG50",
　　 "SIHF20N20D-E3"
　　]