7N100 时间：2025/7/23 6:36:51 阅读：7

7N100 是一款常用的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制等领域。其设计能够承受高电压和较大的电流，适用于高效率和高性能的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：约 0.36Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK、D2PAK 等

特性

7N100 MOSFET 具有优异的导通性能和快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。该器件的低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，7N100 还具备较高的耐压能力，能够稳定工作在高压环境下，适用于各种电源转换和功率控制应用。
　　这款 MOSFET 的封装形式多样，常见的有 TO-220 和 DPAK 等，适用于不同的 PCB 布局需求。TO-220 封装具有良好的散热性能，适合大功率应用，而 DPAK 则适合表面贴装工艺，提高了生产效率。7N100 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4V 至 20V 范围内工作，使其与多种驱动电路兼容。
　　此外，7N100 还具有良好的热稳定性和可靠性，在恶劣的工作环境下也能保持稳定运行。其较高的工作温度上限（+150°C）允许在高温环境中使用，并可通过外部散热片进一步增强散热能力。

应用

7N100 MOSFET 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动、电池充电器、功率放大器以及各种功率控制电路中。由于其良好的导通特性和较高的耐压能力，7N100 特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业控制和消费类电子产品中。
　　在开关电源中，7N100 可作为主开关器件，用于将输入的直流电压转换为高频交流信号，进而通过变压器进行电压转换。在电机控制应用中，7N100 可用于构建 H 桥电路，实现对直流电机的正反转和速度控制。此外，7N100 也可用于 LED 照明驱动电路中，作为 PWM 调光控制开关，提供高效稳定的光源控制。