78S08 时间：2025/9/11 13:18:53 阅读：9

78S08 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的高压制程技术制造，具备优异的导通电阻和开关性能，广泛应用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（在TC=100℃时）
　　功率耗散（PD）：125W
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

78S08 MOSFET具有多项优异的电气和热性能。首先，其高达800V的漏源击穿电压使其适用于高电压应用，如工业电源和开关电源（SMPS）设计。其次，该器件采用了先进的制程技术，确保了较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，78S08具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。其TO-220或D2PAK封装形式具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在突发电压或电流冲击下保持可靠运行，提高系统的稳定性和寿命。

应用

78S08广泛应用于各种高电压、中等功率的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及工业自动化控制系统。此外，该MOSFET也适用于LED照明驱动、家电控制和智能电表等应用。由于其高耐压和良好的热性能，78S08在电源管理和功率控制领域具有较高的可靠性，是许多工程师在中高功率设计中的首选器件。