产品类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向压降（VF）：典型值0.45V（@ IF = 1A, TJ = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（@ VR = 20V, TJ = 25°C）
　　反向恢复时间（trr）：< 10ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：约150°C/W（依PCB布局而定）
　　是否无铅：是
　　符合RoHS标准：是

78D24AL-TN3-R的核心特性之一是其优异的电学性能，特别是在低电压、大电流应用场景下的高效表现。其采用先进的肖特基金属-半导体结技术，实现了比传统硅PN结二极管更低的正向导通压降，典型值仅为0.45V，在1A工作电流下可显著降低功率损耗，提升电源转换效率。这对于电池供电设备或对能效要求较高的系统尤为重要，例如移动设备充电管理电路、USB电源路径控制、同步整流辅助电路等。此外，由于其正向压降低，发热量也相应减小，有助于提高系统的长期运行稳定性。
　　另一个关键特性是极快的开关速度。该器件的反向恢复时间（trr）小于10纳秒，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关操作中不会产生明显的反向电流尖峰，从而有效抑制了电磁干扰（EMI）和电压振荡现象。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、开关电源输出整流、PWM电机驱动中的续流二极管等场合。相比于普通快恢复二极管，78D24AL-TN3-R能够显著改善动态响应和系统效率。
　　从结构设计上看，该器件采用SMA封装，体积小巧（约4.5mm x 2.6mm x 2.2mm），适合自动化贴片生产，满足现代电子产品小型化、轻薄化的需求。其共阴极双二极管结构允许在半波整流或多相电源中灵活配置，提升了电路设计的集成度。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，峰值浪涌电流可达30A，能够在瞬态过载条件下提供一定保护作用。工作结温范围宽达-65°C至+125°C，确保其在恶劣环境下的可靠运行。总体而言，78D24AL-TN3-R以其低VF、高速度、高可靠性及紧凑封装，成为众多低电压电源管理系统中的理想选择。

78D24AL-TN3-R广泛应用于各类需要高效、快速整流与保护功能的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，常被用作电池充放电回路中的防反接二极管或电源路径管理单元中的切换元件，利用其低正向压降减少能量损失，延长续航时间。在USB供电接口（如USB-A、USB-C PD方案）中，可用于VBUS线路的隔离与保护，防止外部反向电压损坏主控芯片。
　　在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，该器件常作为次级侧整流元件使用，尤其是在低压大电流输出（如3.3V、5V）的情况下，其低VF特性可大幅提升转换效率。同时，由于其快速响应能力，也可作为同步整流MOSFET的体二极管替代或辅助元件，优化死区时间内的电流路径。在PWM电机驱动电路中，78D24AL-TN3-R可作为H桥拓扑中每个开关管的续流（飞轮）二极管，有效泄放感性负载产生的反电动势，保护功率晶体管免受高压冲击。
　　此外，该器件还适用于各类电源冗余设计、OR-ing二极管电路、逆变器、LED驱动电源以及工业控制系统中的信号整流与钳位应用。其高可靠性与宽温工作能力也使其适用于汽车电子外围模块（非引擎舱）、智能家居网关、IoT终端设备等领域。得益于SMA封装良好的散热性能和SMT工艺兼容性，78D24AL-TN3-R特别适合自动化大规模生产，广泛用于通信模块、嵌入式主板和电源适配器等产品中。

MBR120VLSFT1G
　　RB751V40T100
　　SMS7824CSP5