类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：0.5A（@8.3ms半正弦波）
　　最大正向电流（IF）：300mA（每元件）
　　最大正向电压（VF）：450mV（@ IF = 150mA, 每元件）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA（@ VR = 25V, TA = 25°C）
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装/包装：SOT-23

78D09AG-TN3-R具备优异的电学性能和热稳定性，其核心优势之一是低正向导通压降，在150mA工作电流下典型值仅为450mV，显著降低了功率损耗，提高了系统能效。这一特性使其在电池供电设备中尤为重要，有助于延长续航时间。此外，该器件采用肖特基势垒结构，不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的反向恢复速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr接近于零），可有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），非常适合用于高频开关电路如同步整流、DC-DC升压或降压转换器。
　　该二极管的双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极引脚，这种配置常用于输出整流电路，特别是在双路输出或反馈回路中，能够简化PCB布线并节省空间。SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现可靠的热管理。产品符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61249-2-21的严格湿气等级测试（MSL=1），确保在回流焊过程中不会因吸湿而产生爆裂问题。
　　78D09AG-TN3-R的工作结温可达+125°C，保证了其在高温环境下的稳定运行能力。同时，其反向漏电流极低，在25V反向电压下仅为0.1μA，有助于降低待机功耗，提升整体系统效率。器件还具备良好的浪涌电流承受能力，短时脉冲电流可达500mA，增强了在瞬态负载条件下的鲁棒性。由于其高度集成化的设计和稳定的批量生产质量，该型号被广泛用于智能手机、平板电脑、无线耳机、IoT终端及其他对空间和效率有严苛要求的应用场景。

78D09AG-TN3-R主要应用于需要高效能、小体积电源管理方案的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器整流环节，例如手机、智能手表和蓝牙耳机等设备内部的电压调节模块。其低正向压降和快速响应特性也使其适用于同步整流电路，用以替代传统PN结二极管以提高转换效率。此外，该器件可用于电源反向极性保护，防止电池接反导致后续电路损坏，在USB供电路径、充电管理单元中发挥关键作用。
　　在通信模块中，78D09AG-TN3-R可用于信号路径的钳位与保护，防止过压冲击损坏敏感IC。其双共阴极结构特别适合用于双通道输出的电源系统，如为处理器核心与I/O分别供电的场合，能够简化外围电路设计。该器件也常出现在LED驱动电路中，作为防倒灌二极管使用，确保多路LED之间互不干扰。在工业控制和汽车电子辅助系统中，尽管其电流容量较小，但在低功率传感器供电、MCU电源隔离等方面仍具应用价值。
　　得益于SOT-23封装的小型化优势，该二极管非常适合高密度贴装的主板设计，尤其是在追求轻薄化的移动设备中，能够最大限度地节约PCB面积。同时，卷带包装形式便于自动贴片机取料，提升了大规模生产的装配效率和一致性，因此也被广泛用于OEM制造流程中。

[
　　 "BAS40-04W",
　　 "MBR0340T1G",
　　 "PMES231CT",
　　 "RB751V40"
　　]