类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：80V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：80A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：320A
　　导通电阻RDS(on)：8.5mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：11mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：6000pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：920pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间trr：30ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252(DPAK)

78D08具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件的低RDS(on)特性使其在大电流应用中表现尤为突出，例如在DC-DC转换器、电机驱动或电池管理系统中可有效降低温升，延长系统寿命。同时，由于其栅极电荷Qg较低，驱动所需的能量也相应减少，有助于简化驱动电路设计，并支持更高的开关频率操作，适用于高频开关电源设计。
　　在可靠性方面，78D08经过严格的质量控制流程生产，具备优良的抗静电能力（ESD）和抗浪涌能力，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其封装采用TO-252标准形式，具有较大的散热片，可通过PCB上的铜箔进行有效散热，提升了整体的热管理能力。此外，该MOSFET还具备良好的dv/dt抑制能力，减少了误触发的风险，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　另一个重要特点是其宽泛的工作温度范围，从-55℃到+150℃，使其不仅适用于常规工业环境，也能在高温或低温极端条件下正常工作，增强了产品的环境适应性。对于需要长时间连续运行的应用场合，如服务器电源、UPS不间断电源或光伏逆变器，78D08提供了可靠的开关解决方案。总体而言，该器件结合了高性能、高可靠性和成本效益，是现代电力电子设计中的优选之一。

78D08常用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在同步整流DC-DC转换器中作为主开关或整流元件，利用其低导通电阻来提升转换效率。它也被广泛应用于电机驱动电路，如直流无刷电机控制器或电动工具中，作为相位切换开关使用，提供快速响应和低损耗的电流路径。此外，在电池供电系统，如电动自行车、储能设备或便携式电源中，该MOSFET可用于电池保护板中的充放电控制开关，确保安全可靠的充放电管理。
　　在工业自动化领域，78D08可用于PLC模块输出驱动、继电器替代或固态开关设计，实现无触点控制，提高系统寿命和稳定性。其高电流承载能力也使其适合用作负载开关，控制大功率LED照明、加热元件或其他执行机构的通断。同时，在逆变器和UPS系统中，该器件可用于H桥拓扑结构中的开关单元，参与交流输出波形的生成与调节。
　　消费类电子产品中，78D08常见于笔记本电脑适配器、LCD电视电源板或充电站等设备中，承担主功率开关的角色。由于其封装易于焊接且兼容自动贴片工艺，适合大规模生产应用。总之，凡是需要高效、可靠地控制80V以下直流电压和大电流负载的场景，78D08都是一个极具竞争力的选择。

AP80D08GP-HF
　　SI78D08DH-T1-E3
　　FQP80N08
　　IRF3205