型号：76SB09T
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A（在TC=25°C条件下）
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：48A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.5V，范围1.0V~2.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值6.5mΩ（在VGS=10V，ID=6A时）
　　RDS(on) 温度系数：正温度系数，随温度升高略有增加
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF（在VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz时）
　　输出电容（Coss）：典型值400pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值70pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值16nC（在VDS=15V，ID=12A，VGS=10V时）
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值12ns
　　上升时间（tr）：典型值28ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值35ns
　　下降时间（tf）：典型值20ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8（Surface Mount）
　　散热特性：内置散热焊盘，建议PCB上铺设足够铜箔以增强散热能力

76SB09T采用了ROHM专有的沟槽结构技术和超结设计，显著降低了导通电阻与寄生电容之间的权衡关系，从而实现卓越的开关性能。其低RDS(on)特性意味着在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热，提高系统能效。器件的栅极结构经过优化，具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得在高频开关应用中能够有效降低驱动功耗和开关过渡时间，减少交叉导通风险。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适用于长时间连续工作的工业设备。
　　76SB09T支持逻辑电平驱动，栅极阈值电压较低，可在3.3V甚至更低的驱动电压下充分导通，兼容现代低电压控制芯片。其SOP-8封装不仅节省空间，还通过底部散热焊盘将热量高效传导至PCB，提升了热管理能力。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在汽车电子应用中也具备良好的适用性。内部结构设计考虑了雪崩能量耐受能力，在突发过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力。同时，该MOSFET具有较低的体二极管正向压降和较快的反向恢复速度，有助于减少续流过程中的能量损耗，尤其在同步整流和H桥驱动中表现优异。这些综合特性使76SB09T成为高性能电源系统中的优选器件。

76SB09T适用于多种中等功率开关电源应用，包括但不限于：同步降压变换器（Buck Converter）中的上下桥臂开关，特别是在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电；升压变换器（Boost Converter）中的主开关器件；DC-DC模块电源中的功率级元件；电池管理系统中的充放电控制开关；电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑；热插拔控制器和负载开关应用，利用其软启动功能防止浪涌电流；LED驱动电源中的恒流调节开关；以及各类工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源管理单元。由于其具备车规级可靠性认证，该器件也可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源系统等汽车电子领域。此外，在无人机、电动工具和便携式设备中，76SB09T凭借其高效率和小尺寸优势，成为理想的功率开关选择。

RB0931KMG, BUK9Y29-30E, FDMC86280, SI4946DY