型号：76PSB10
　　制造商：Littelfuse
　　晶体管类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.3A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　导通电阻 RDS(on)：30mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻 RDS(on)：25mΩ（@VGS=-10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.3V
　　输入电容（Ciss）：420pF（@VDS=-10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：DFN2x2-6

76PSB10 具备多项关键特性，使其在同类 P 沟道 MOSFET 中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的能效表现。在 VGS = -10V 条件下，RDS(on) 典型值仅为 25mΩ，即使在较低的栅极驱动电压（如 -4.5V）下也能保持 30mΩ 的低阻值，这使得它非常适合用于电池供电设备中对功耗敏感的应用场景。
　　其次，该器件采用 DFN2x2 小尺寸封装，不仅节省宝贵的 PCB 面积，还具备优良的散热性能。底部裸露焊盘设计可有效将热量传导至 PCB，从而提高功率处理能力，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。这种封装形式符合现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
　　第三，76PSB10 内部集成了强大的静电放电（ESD）保护功能，人体模型（HBM）耐受能力达到 ±8kV，大幅提高了器件在装配和现场使用中的可靠性，减少了因静电损伤引起的失效风险。
　　此外，该 MOSFET 支持逻辑电平驱动，兼容常见的 3.3V 或 5V 控制信号，无需外加电平转换或电荷泵电路，简化了外围设计并降低了整体 BOM 成本。其快速的开关响应时间也有助于减少开关过程中的能量损耗，进一步优化系统效率。
　　最后，76PSB10 经过严格的质量认证，符合 RoHS 和无卤素要求，适合用于对环保和安全标准有高要求的产品设计中。这些综合优势使其成为电源开关、热插拔控制器、负载切换器等应用的理想选择。

76PSB10 广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高效、小型化电源开关解决方案的场合。一个典型的应用是在便携式消费类电子产品中作为高边负载开关，例如智能手机和平板电脑中的显示屏电源控制、摄像头模块供电管理或音频子系统的电源启停。通过微控制器发出的 GPIO 信号即可直接驱动 76PSB10，实现对外设电源的精确控制，达到节能和延长电池续航的目的。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电路径的通断控制，配合保护 IC 实现过压、过流和短路保护功能。其低 RDS(on) 特性有助于减小发热，提高系统安全性与稳定性。
　　此外，76PSB10 也常用于热插拔电路设计中，允许系统在不断电的情况下安全插入或移除模块化组件，如 USB 接口、扩展卡或传感器单元。在此类应用中，MOSFET 能够平滑地控制上电斜率，防止浪涌电流冲击主电源轨，保障系统稳定运行。
　　工业控制设备中，该器件可用于隔离不同功能模块的供电，实现分时供电或故障隔离。同时，由于其宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），也可适应较为严苛的环境条件。
　　其他应用还包括 DC-DC 转换器中的同步整流辅助开关、电机驱动中的电源切断机制以及各类需要 P 沟道高边驱动的低电压数字控制电源系统。凭借其高可靠性、小体积和高性能，76PSB10 成为了现代电源架构中不可或缺的关键元件之一。

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