76PSB08ST 时间：2025/12/25 7:25:07 阅读：17

76PSB08ST 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场合。该器件采用了先进的技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于高效率和高可靠性的电子系统。76PSB08ST 采用紧凑的表面贴装封装，便于在PCB上安装并节省空间。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.2mΩ（典型值更低）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约2.0V ~ 4.0V
　　最大功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 HV

特性

76PSB08ST 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。其80V的漏源电压额定值使其适用于多种中高功率应用，例如工业电源、电池管理系统和电动工具控制电路。该器件采用了先进的封装技术，具有良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，76PSB08ST 的栅极阈值电压较低，确保了在逻辑电平控制下仍能可靠导通，提升了系统的响应速度和灵活性。
　　其封装形式为PowerFLAT 5x6 HV，具有良好的机械稳定性和散热性能，适合在空间受限的应用中使用。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬时过载和电压尖峰，提高了系统的可靠性和安全性。76PSB08ST 的设计也考虑了电磁干扰（EMI）的优化，有助于减少高频开关过程中产生的噪声，提高电子系统的稳定性。

应用

76PSB08ST 适用于多种高功率密度和高效率的电子系统，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动和负载开关等应用。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和低损耗的电源转换系统。例如，在电动工具和无人机等设备中，该MOSFET可用于高效电机驱动和电池保护电路。此外，76PSB08ST 也可用于工业自动化设备、通信电源以及电动车相关应用中，提供稳定可靠的功率控制。