75N07 时间：2025/9/21 2:07:51 阅读：10

75N07是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率开关场景。该器件采用先进的平面技术制造，具备低导通电阻和优良的热稳定性，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。75N07中的‘75’通常表示其最大漏极电流能力约为75A，而‘07’则代表其漏源击穿电压为70V左右，因此该器件额定电压为70V，适合中等电压应用场合。该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统整体能效。由于其高性能和可靠性，75N07在工业控制、消费电子、电动工具及汽车电子等领域得到广泛应用。封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），便于散热和安装于PCB板上。该器件对栅极驱动信号敏感，需注意提供适当的栅极电压（通常为10V~15V）以确保完全导通，并避免因过压导致栅氧化层损坏。

参数

型号：75N07
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：70V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：300A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（@Vgs=10V, Id=30A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4000pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：900pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）

特性

75N07的核心优势在于其低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使其在大功率开关应用中表现出色。其Rds(on)典型值仅为8.5mΩ，在高电流负载下显著降低导通损耗，提升系统效率并减少发热。器件采用优化的晶圆工艺，确保了良好的热分布和长期工作的可靠性。此外，75N07具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，适用于如电机启动或感性负载切换等易产生电压尖峰的场景。该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，典型值在60nC左右，这意味着它可以用较小的驱动电流实现快速开关，从而减少驱动电路的设计复杂度和功耗。其输入电容和反馈电容设计合理，有助于抑制米勒效应引起的误触发，提升开关稳定性。温度对导通电阻的影响较小，高温环境下仍能保持较好的性能表现，适合用于紧凑型高密度电源设计。器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造标准。
　　75N07还具备优良的短路耐受能力和抗电磁干扰（EMI）特性。在发生短路时，器件能够在短时间内承受较大的电流而不立即损坏，为保护电路争取响应时间。其结构设计减少了寄生电感和电容，有助于降低高频开关时的振铃现象，从而改善EMI性能。对于多管并联应用，75N07的正温度系数特性（即Rds随温度升高而增大）有利于电流均衡分配，防止热失控。这些特性使得该器件不仅适用于常规电源转换，也适合在高可靠性要求的工业和车载环境中使用。制造商通常提供详细的热阻参数（如RθJC和RθJA），帮助工程师进行热设计，确保器件在额定功率下安全运行。

应用

75N07广泛应用于各类需要高效能、高电流开关控制的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用，利用其低Rds(on)特性提高转换效率。在电机驱动电路中，如直流无刷电机（BLDC）或步进电机控制器，75N07可作为H桥电路中的开关元件，实现精确的转速和方向控制。其高电流能力和快速响应使其非常适合用于电动工具、无人机电调和小型电动车的驱动模块。
　　此外，75N07也常用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，承担功率级的开关任务。在电池管理系统（BMS）中，可用于电池充放电回路的通断控制。由于其封装具备良好的散热性能，适合在空间受限但功率密度要求高的设备中使用，例如通信电源、LED驱动电源、工业自动化设备和家用电器中的电源模块。在汽车电子领域，可用于车载充电机（OBC）、车灯控制或辅助电源系统。考虑到其工作温度范围宽，也可部署于环境温度变化剧烈的户外设备中。