75N06G 时间：2025/7/23 13:27:47 阅读：7

75N06G是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统等领域。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性。75N06G封装通常为TO-220或DPAK等，适用于高电流和高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220、DPAK等

特性

75N06G MOSFET具有多项显著的技术特点。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下，功率损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。该器件的高耐压特性使其能够承受高达60V的漏源电压，适用于多种电源转换和控制应用。此外，75N06G的高栅源电压容限（±20V）增强了其在复杂电路环境中的可靠性。其平面工艺制造确保了器件在高温下的稳定运行，工作温度范围可达到-55°C至175°C，适合工业级和汽车电子应用。75N06G还具有快速开关特性，使其在高频开关电源中表现出色，降低了开关损耗并提高了响应速度。

应用

75N06G MOSFET广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它被用于DC-DC转换器、同步整流器和电池充电电路。在电机驱动应用中，75N06G作为高侧或低侧开关，提供高效且稳定的功率控制。在汽车电子中，该器件可用于车载电源转换系统、电动助力转向系统和电池管理系统。此外，75N06G也适用于UPS（不间断电源）、工业自动化设备和智能电表等应用场景。