75F759 时间：2025/7/23 1:43:04 阅读：5

75F759 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。75F759 具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，有助于减少导通和开关损耗，从而提高系统效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：75A（Tc）
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 8.5mΩ（典型值）@ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：200W（Tc）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220 或 TO-247

特性

75F759 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于在高电流条件下减少导通损耗，提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。该 MOSFET 采用先进的平面工艺技术制造，确保了优异的热稳定性和长期可靠性。
　　其高雪崩能量能力确保在高电压瞬态条件下具有良好的鲁棒性，适用于电机驱动和逆变器等高能量应用场景。此外，75F759 的封装设计有助于有效的散热管理，确保在高功率操作时的稳定性。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。此外，75F759 在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适应严苛的工作条件。

应用

75F759 主要用于各类高效率功率转换系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻，它也非常适合用于大功率 LED 照明驱动器和 UPS（不间断电源）系统。
　　在汽车电子领域，75F759 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路以及车载逆变器等应用。由于其高可靠性与高耐压特性，该器件也广泛应用于光伏逆变器和储能系统中，以提升系统的整体效率和稳定性。