类型：16位透明D类锁存器
　　逻辑系列：LVT
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V（推荐3.3V）
　　输入电平兼容性：5V Tolerant Inputs and Outputs
　　最大传播延迟：约3.5ns（典型值）
　　输出模式：三态
　　封装形式：TSSOP-56（DGG）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　直流输出电流：±24mA（驱动能力）
　　静态电流：典型值低于10μA
　　锁存使能控制：LE（锁存使能）
　　输出使能控制：OE（输出使能，低电平有效）
　　引脚数量：56
　　技术工艺：BiCMOS

74LVT16646ADGG具备多项先进电气与功能特性，使其在复杂数字系统中表现优异。首先，该器件支持3.3V供电并兼容5V输入/输出信号，这一特性使得它可以在新旧系统之间实现无缝接口，尤其适用于从5V向3.3V过渡的混合信号系统。其BiCMOS制造工艺结合了双极型晶体管的高速开关特性和CMOS的低功耗优势，显著提升了整体性能。在高速运行方面，该芯片的典型传播延迟仅为3.5ns左右，能够满足高达100MHz以上的数据吞吐需求，适用于高速总线应用。
　　该器件的16位结构分为两个独立的8位锁存器组（A0-A7和B0-B7），每组配有独立的锁存使能（LE）和输出使能（OE）信号，增强了系统的灵活性和控制精度。当LE为高电平时，锁存器处于透明状态，输出随输入变化；当LE变为低电平时，输入数据被锁定，输出保持不变，从而实现数据采样与保持功能。三态输出结构允许多个器件共享同一总线，通过OE信号控制输出状态，避免总线冲突。
　　此外，74LVT16646ADGG具有高驱动能力，每个输出引脚可提供高达±24mA的驱动电流，足以直接驱动多个负载或长距离走线。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在恶劣工业环境下的稳定运行。内置的过压保护和静电放电（ESD）防护机制提高了器件的可靠性。该芯片还具备低静态功耗特性，在非活动状态下消耗电流极小，有助于延长便携式设备的电池寿命。所有这些特性共同使74LVT16646ADGG成为高性能、高可靠性的总线接口解决方案。

74LVT16646ADGG广泛应用于需要高速、双向或单向数据缓冲与电平转换的数字系统中。在计算机和服务器领域，常用于地址锁存和数据总线隔离，特别是在CPU与内存或外设之间的接口电路中，起到数据暂存和驱动增强的作用。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该芯片可用于同步多路数据流，确保信号完整性与时序匹配。工业自动化系统中，它被用作PLC（可编程逻辑控制器）中的I/O扩展缓冲器，提升抗干扰能力和驱动能力。
　　在嵌入式系统和高性能FPGA/CPU开发板上，74LVT16646ADGG常作为电平转换桥梁，连接不同电压域的组件，例如将3.3V主控芯片与5V外围设备互联。其三态输出功能支持多设备共享总线结构，常见于并行总线架构如ISA、PCI局部总线或自定义背板系统中。此外，该器件也适用于测试测量仪器、数据采集系统和数字信号处理平台，用于临时存储传感器或ADC输出的数据，并通过锁存机制实现同步采样。
　　由于其高集成度和小型化封装（TSSOP-56），该芯片特别适合空间受限的应用场景，如便携式医疗设备、工业手持终端和高密度PCB设计。在需要热插拔或动态配置的系统中，其三态控制和电平兼容性也提供了额外的安全保障，防止总线争用和信号回灌。总体而言，74LVT16646ADGG是一款多功能、高适应性的逻辑器件，适用于各种对速度、功耗和兼容性有较高要求的现代电子系统。

SN74LVT16646ADGGR
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