逻辑系列：LVT
　　逻辑功能：2输入四路NOR门
　　电源电压范围：2.7V 至 3.6V
　　最大输出电流：±24mA（输出低时典型为24mA）
　　输入耐压：最高可达5.5V（输入引脚允许5V输入）
　　传播延迟时间：典型值为3.5ns（@ VCC = 3.3V, CL = 50pF）
　　上升/下降时间：典型值为2.5ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOIC-14, TSSOP-14, PDIP-14
　　静态功耗：极低（微安级，典型CMOS特性）
　　动态功耗：随频率增加而上升，但仍低于传统TTL器件

74LVT02的核心特性之一是其在低电压条件下实现与TTL电平兼容的能力，使其能够无缝集成于混合电压系统中。它采用先进的CMOS工艺制造，兼具低静态功耗和高速开关性能，相较于传统的74LS或74F系列器件，显著降低了能耗，同时提升了响应速度。该器件的输入端设计支持5V信号输入，即使在仅由3.3V供电的情况下也能可靠识别高电平逻辑，这一特性对于实现从5V系统向3.3V系统的信号传输至关重要，避免了额外电平转换电路的需求，简化了系统设计复杂度并节省了PCB空间。
　　其次，74LVT02的输出结构为推挽式（Totem-Pole），而非开漏输出，能够主动驱动高电平和低电平，提供较强的驱动能力，典型输出低电平时可吸收高达24mA的电流，足以直接驱动多个TTL输入负载或较长的传输线。这种强驱动能力使其非常适合用作缓冲器、电平转换器或总线驱动单元。此外，其快速的传播延迟（通常小于4ns）保证了在高频数字系统中的时序精度，适用于时钟同步、地址译码、中断逻辑合并等对响应时间要求较高的场合。
　　另一个关键特性是其出色的抗噪性能和信号完整性。由于采用了优化的内部布局和电源去耦设计，74LVT02在高速切换过程中表现出较低的接地反弹和电源扰动，减少了串扰和误触发的风险。器件还具备过温保护和静电放电（ESD）防护能力，典型HBM模型下的ESD耐受电压可达2000V以上，提高了在实际应用中的鲁棒性。最后，该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境下的电子设备，包括嵌入式控制系统、网络交换设备和自动化仪器仪表。

74LVT02广泛应用于需要高速逻辑运算和电平转换的数字系统中。一个典型应用场景是在3.3V主控系统与遗留的5V外设之间进行信号接口匹配。例如，在基于微控制器或FPGA的嵌入式系统中，当主处理器运行在3.3V电压而连接的EEPROM、LCD模块或GPIO扩展芯片仍为5V逻辑时，74LVT02可用作输入信号的电平兼容接口，确保来自5V系统的高电平信号能被正确识别且不会损坏低压芯片。
　　在计算机主板或工业控制卡中，74LVT02常用于地址译码电路、中断请求合并逻辑或复位信号生成电路中。由于其四个独立的2输入或非门可以灵活配置为各种组合逻辑功能，如低电平有效的“任意一路激活则输出低”的判断电路，特别适合处理多个低有效中断信号的优先级仲裁或屏蔽逻辑。此外，在通信接口模块中，该器件可用于构建简单的握手协议逻辑、状态标志锁存控制或故障检测组合电路。
　　在便携式设备和电池供电系统中，得益于其低静态功耗和高效能比，74LVT02被用于电源管理单元中的唤醒逻辑或模式切换控制电路。例如，当多个传感器或外设发出低电平唤醒信号时，可通过74LVT02将这些信号合并后触发主控芯片的中断引脚。此外，在测试测量仪器和数据采集系统中，该芯片也常作为前端信号调理逻辑的一部分，用于预处理来自外部传感器或开关的状态信号，提升系统的响应速度和稳定性。

SN74LVT02DBR
　　SN74LVT02DR
　　NXP74LVT02PW
　　MC74LVT02DG