类型：八路透明锁存器
　　逻辑系列：74LV
　　电源电压范围：2.7V ~ 5.5V
　　最大输出电流：±25mA（输出灌电流/拉电流）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　输入电平兼容性：TTL兼容
　　传播延迟时间（典型值）：约15ns（在5V供电时）
　　锁存使能输入（LE）：高电平有效
　　输出使能（OE）：低电平有效
　　封装形式：SO16
　　引脚数：16
　　低功耗特性：静态电流极低（微安级）
　　三态输出：支持总线连接

74LV573D的核心特性之一是其低电压CMOS结构带来的高能效与宽电源适应能力。该器件采用先进的硅栅CMOS工艺，显著降低了动态和静态功耗，尤其适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其电源电压可在2.7V至5.5V范围内稳定工作，不仅兼容3.3V系统，也能无缝接入5V传统TTL电路，极大提升了系统设计的灵活性。此外，所有输入端均设计为TTL电平兼容，无需额外电平转换即可直接接收来自TTL或LVTTL器件的信号，简化了接口设计。
　　该芯片内置八个独立的D型锁存器，每个锁存器在锁存使能（LE）为高电平时，输出跟随输入变化（透明模式）；当LE变为低电平时，当前输入数据被锁定并保持，即使输入变化也不会影响输出，确保了数据的稳定性和完整性。这一机制特别适用于数据采集、地址锁存或多路复用总线系统中，防止数据竞争和毛刺干扰。
　　三态输出控制（OE）功能使得多个74LV573D或其他三态器件可以共享同一数据总线。当OE为低时，输出处于正常逻辑状态；当OE为高时，输出进入高阻态，避免总线冲突。这种特性在微控制器系统、存储器接口和多设备数据交换中极为关键。同时，器件具备高噪声抑制能力，得益于CMOS工艺固有的高输入噪声容限，能够在电磁干扰较强的工业环境中可靠运行。
　　74LV573D还具备出色的驱动能力，每个输出可提供高达±25mA的驱动电流，足以驱动多个LS-TTL负载或长距离传输线路。其传播延迟较短（典型值约15ns @ 5V），保证了高速数据传输下的时序性能。此外，该器件工作温度范围宽（-40°C至+85°C），满足工业级应用要求，适用于恶劣环境下的长期稳定运行。SO16封装形式便于自动化贴装，节省PCB空间，适合现代紧凑型电子产品设计。

74LV573D广泛应用于需要数据锁存与总线隔离的各种数字系统中。在微处理器和微控制器系统中，它常用于地址锁存，特别是在使用地址/数据复用总线的架构中，通过锁存地址信息来释放数据总线进行后续的数据传输。例如，在8051或Z80等经典架构中，74LV573D可作为地址锁存器，配合ALE（地址锁存使能）信号实现地址分离，提升系统效率。
　　在工业控制领域，该器件可用于I/O扩展模块中，将微控制器的并行输出信号锁存并稳定驱动继电器、LED显示器或多路开关。其三态输出功能也使其适用于PLC（可编程逻辑控制器）中的数字量输出模块，实现多模块共用通信总线。
　　在通信设备中，74LV573D可用于缓冲和锁存串行或并行数据流，防止数据丢失或误读。例如，在UART接口扩展或FIFO缓冲系统中，作为中间暂存单元，提高数据传输可靠性。
　　此外，该芯片也常见于测试测量仪器、数字仪表、LED点阵显示驱动、键盘扫描电路以及消费类电子产品如打印机、复印机的控制板中。由于其低功耗和高稳定性，74LV573D也适用于便携式设备和远程监控终端。在教育实验平台和原型开发板中，因其功能明确、使用简单且资料丰富，常被用作学习锁存器原理和总线操作的典型器件。

74HC573D, 74HCT573D, 74LVC573AD, 74ALVCH16573