型号：74HCT563D
　　制造商：NXP Semiconductors
　　系列：74HCT
　　逻辑功能：八路D型透明锁存器，三态非反相输出
　　封装类型：SO16
　　引脚数：16
　　电源电压范围：4.5V 至 5.5V
　　最大传播延迟（tpd）：约 20ns（典型值，VCC = 5V）
　　静态电流（ICC）：最大 80μA（典型应用条件下）
　　输出驱动能力：Q灌电流 / 拉电流：6mA / 7.8mA（VCC = 5V）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输入电平兼容性：TTL 兼容（VIH/VIL 符合 TTL 标准）
　　三态控制：输出使能（OE）控制，低电平有效
　　锁存使能：高电平有效（LE）
　　输出类型：三态非反相
　　直流输出电流：±6mA
　　功耗：低静态功耗，适合电池供电系统
　　上升/下降时间：典型值约 8ns（负载条件下）

74HCT563D的核心特性之一是其基于先进的硅栅CMOS技术设计，能够在保持与TTL逻辑电平完全兼容的同时，显著降低功耗。该器件的输入阈值电压符合标准TTL规范，因此可以直接连接到TTL输出而无需额外的电平转换电路，这极大增强了其在混合逻辑系统中的互操作性。其内部结构由八个独立的D型锁存器组成，每个锁存器的输入端接收数据信号（D0-D7），当锁存使能（LE）信号为高电平时，输出（Q0-Q7）直接跟随输入数据变化，表现出“透明”特性；一旦LE变为低电平，输入数据被锁存并保持，即使输入发生变化，输出也不会更新，从而实现对关键数据的稳定保持。
　　另一个重要特性是其三态输出能力。通过共用的输出使能（OE）引脚，用户可以将所有八个输出置于高阻抗状态，这一功能使得多个74HCT563D器件能够共享同一组数据总线，避免信号冲突。这种总线友好型设计特别适用于微控制器、DSP或FPGA系统中需要分时复用数据通道的应用场景。此外，三态控制独立于锁存操作，允许在不改变锁存内容的情况下动态启用或禁用输出，提高了系统的灵活性。
　　该器件还具备出色的抗噪声能力和宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C），确保其在恶劣工业环境下的可靠运行。其SO16封装不仅节省PCB空间，还具有良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。此外，74HCT563D集成了上拉/下拉电阻和静电放电（ESD）保护电路，增强了器件在实际应用中的鲁棒性，减少了外部保护元件的需求，有助于简化电路设计并降低成本。

74HCT563D常用于需要临时存储和控制数据流的数字系统中。一个典型应用场景是在微处理器或微控制器系统中作为地址或数据总线的缓冲器。例如，在内存扩展或外设接口设计中，当主控单元需要访问多个外设时，可利用74HCT563D锁存地址信息，以便在总线释放后仍能维持正确的地址选通状态，从而实现对外设的稳定寻址。此外，由于其三态输出特性，它非常适合构建共享数据总线架构，允许多个I/O设备分时接入同一总线，提升系统集成度。
　　在工业控制系统中，74HCT563D可用于采集和锁存来自传感器或多路开关的状态信号，并在PLC或其他控制单元读取前保持数据稳定，防止因信号抖动或传输延迟导致误判。在通信设备中，该芯片可用于并行数据的同步采样与转发，例如在串并转换后的数据暂存阶段，确保接收端在指定时刻准确读取完整字节。
　　消费类电子产品如打印机、显示器和家用电器的控制板也常采用74HCT563D进行LED驱动信号的锁存或按键扫描数据的暂存。其低功耗特性使其适用于便携式设备或长期运行的嵌入式系统。此外，在测试测量仪器中，该器件可用于构建数据采样保持模块，配合ADC或DAC使用，提高数据处理的准确性与时序可控性。教育实验平台和开发板中也常见其身影，用于演示锁存器原理和总线操作机制。

74HCT563PW
　　74HCT563DB
　　SN74HCT563DWRG4
　　CD74HCT563E