型号：74F259D
　　类型：8位地址可寻址锁存器
　　逻辑系列：F（Fast TTL）
　　封装形式：SOIC-16 或 DIP-16
　　电源电压：4.75V 至 5.25V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　最大时钟频率：典型值为50MHz（依负载条件而定）
　　传播延迟（tpd）：典型值约3-5ns
　　低电平输出电流（IOL）：约20mA
　　高电平输出电流（IOH）：约1mA
　　输入电压阈值（VIH/VIL）：典型VIH=2.0V，VIL=0.8V
　　三态控制：有，OE（Output Enable）引脚控制输出状态
　　地址输入：A0, A1, A2（3位地址选择）
　　数据输入/输出：公共数据线（通常为D/Q）
　　锁存使能：LE（Latch Enable）控制写入操作

74F259D的核心特性之一是其地址可寻址的锁存结构，允许通过3位地址线（A0-A2）从8个内部寄存器中选择一个进行读写操作。这种设计极大简化了多路数据控制逻辑，避免了使用多个独立触发器带来的布线复杂性。当锁存使能（LE）信号有效时，数据线上输入的数据将被写入由地址选中的特定锁存器中；而在LE无效后，数据被锁定并保持稳定，即使地址发生变化也不会影响已存储的内容。这种机制特别适用于需要按地址访问的状态寄存器或配置寄存器应用。
　　另一个关键特性是其高速性能。作为74F系列的一员，74F259D采用了优化的TTL工艺，具有比74LS或74HC系列更短的传播延迟，通常在3到5纳秒之间，使其能够在高频数字系统中可靠运行。尽管功耗相对较高，但其快速响应能力使其成为早期高性能计算机、通信设备和测试仪器中的理想选择。
　　该器件还具备三态输出功能，通过输出使能（OE）引脚控制所有输出处于激活或高阻状态。这一功能允许多个74F259D或其他三态器件共享同一数据总线，实现总线复用，从而节省PCB空间和系统资源。此外，其输入端具有标准TTL电平兼容性，可以直接与大多数5V逻辑器件接口，无需额外的电平转换电路。
　　在可靠性方面，74F259D具有良好的噪声抑制能力和稳定的输出驱动能力，能够直接驱动LED或小型继电器等负载。虽然现代设计更多转向CMOS技术以降低功耗，但在一些对速度要求高于功耗的应用中，74F259D仍具有不可替代的优势。

74F259D广泛应用于需要按地址选择并锁存数据的数字系统中。其典型应用场景包括微控制器或微处理器系统的外设接口扩展，例如用作I/O端口的状态寄存器，记录外部设备的工作状态或控制信号。由于其地址可寻址特性，它可以在不占用过多控制线的情况下实现多位状态的独立访问，非常适合构建紧凑型控制面板或工业自动化模块。
　　在数字仪表和测试设备中，74F259D可用于存储测量模式、量程选择或校准参数等配置信息。这些参数在系统启动时加载，并在整个运行过程中保持不变，直到下一次重新配置。由于74F系列具有较快的响应速度，因此在需要快速切换设置或频繁读取状态的场合表现优异。
　　此外，该芯片也常用于教学实验平台和原型开发系统中，帮助学生理解地址译码、锁存器工作原理及总线结构等基本数字电路概念。其直观的功能划分和明确的引脚定义使其成为理想的教学工具。
　　在老式计算机和嵌入式系统中，74F259D曾被用于构建简单的内存映射寄存器文件，配合地址总线和控制总线实现对硬件资源的编程控制。尽管如今已被更先进的可编程逻辑器件或专用ASIC所取代，但在维护和修复老旧设备时，了解其应用原理仍然至关重要。

SN74F259N
　　SN74F259DWR
　　CD74F259E
　　MM74F259N