型号：74F1779N
　　制造商：Texas Instruments
　　系列：74F (Fast TTL)
　　逻辑功能：8位D型触发器，带三态输出
　　封装类型：20-DIP (Dual In-line Package)
　　电源电压：4.75V ~ 5.25V
　　工作温度范围：0°C ~ 70°C
　　输出类型：三态
　　输出电流：高电平输出电流 -0.8mA，低电平输出电流 16mA
　　时钟频率：最大典型值约100MHz
　　传播延迟时间（tpd）：典型值5ns（从CLK到Q）
　　建立时间（tsu）：典型值3ns
　　保持时间（th）：典型值1ns
　　输入电容：3.5pF
　　功耗：典型静态功耗120mW

74F1779N 的核心特性在于其高速TTL工艺带来的优异时序性能。该器件采用先进的双极型晶体管技术，显著降低了传统TTL电路中的传播延迟，使其能够支持高达100MHz的时钟频率操作。每个D型触发器都在时钟的上升沿触发，确保了数据同步的精确性。其内部结构经过优化，减少了内部节点的寄生电容和电阻，从而加快了开关速度，使得从时钟边沿到输出稳定的时间（tpd）仅为5ns左右，这在需要快速响应的数字系统中至关重要。
　　该芯片的三态输出功能是其另一关键特性。通过一个共用的输出使能（OE）引脚，用户可以控制所有八个输出进入高阻抗状态，从而避免总线冲突。这一特性使得多个74F1779N或其他三态器件可以共享同一组数据线，极大地提升了系统设计的灵活性，特别适用于微处理器系统中的数据锁存和缓冲场景。当OE被禁用时，输出呈现高阻状态，不会影响总线上的其他设备通信。
　　在电气特性方面，74F1779N 提供较强的低电平驱动能力（16mA），足以驱动多个TTL负载，但在高电平输出时仅能提供-0.8mA电流，因此在驱动上拉负载时需注意电平匹配问题。此外，该器件对输入信号的建立和保持时间要求较为严格，典型建立时间为3ns，保持时间为1ns，设计时必须保证数据在时钟边沿前后满足这些时序条件，否则可能导致亚稳态或数据错误。
　　尽管74F系列具备高速优势，但其功耗相对较高，典型静态功耗为120mW，远高于现代CMOS器件。同时，其输入阈值电压固定于TTL电平（约1.4V），与CMOS电平不兼容，使用时需进行电平转换。该器件适用于商业级温度范围（0°C至70°C），不适合极端环境下的工业或汽车应用。

74F1779N 广泛应用于需要高速数据锁存和总线隔离的数字系统中。最常见的用途是在微处理器或微控制器系统中作为地址或数据总线的锁存器，用于在多路复用总线上分离地址与数据信号。例如，在早期的8086、Z80等CPU系统中，该类器件常用于构建地址锁存器（Address Latch），在ALE（地址锁存使能）信号的控制下，将地址信息从共享总线上捕获并保持，以便后续的内存或外设寻址操作。
　　此外，74F1779N 也常用于高速数据采集系统中，作为输入数据的同步缓冲器。在ADC（模数转换器）前端或数字信号处理链路中，它可以将异步输入的数据在系统时钟的上升沿统一采样，消除毛刺并提高系统的时序稳定性。由于其传播延迟短，适合用于高频时钟域下的数据同步，减少时序偏差。
　　在通信接口电路中，该器件可用于并行数据的暂存与转发，例如在打印机接口、DMA控制器或协处理器之间传递数据块。其三态输出允许它在非激活状态下脱离总线，避免干扰其他设备的数据传输，因此非常适合构建可扩展的并行总线架构。
　　另外，74F1779N 还可用于构建移位寄存器、状态寄存器或中断向量锁存器等逻辑模块。在测试设备、工业控制板卡和老式计算机主板中，仍可见到该器件的身影。虽然现代设计更倾向于使用低功耗CMOS技术，但在系统维护、逆向工程或兼容性升级项目中，74F1779N 仍然是重要的替换元件。

SN74F179N