型号：74F109D
　　逻辑系列：74F
　　逻辑功能：三3输入与非门（Triple 3-Input NAND Gate）
　　封装类型：SOIC-14, TSSOP-14
　　电源电压：4.75V ~ 5.25V
　　工作温度范围：0°C ~ +70°C
　　最大时钟频率：典型值可达100MHz以上（依赖于负载）
　　传播延迟时间（tpd）：约3ns（典型值，从输入到输出）
　　逻辑电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：标准TTL负载
　　输入数量：每门3个输入，共3个独立门
　　引脚数：14
　　制造工艺：双极型硅技术，采用肖特基钳位
　　直流电源电流（ICC）：典型值约8mA（每门空载）
　　高电平输出电压（VOH）：≥ 2.7V（在灌电流条件下）
　　低电平输出电压（VOL）：≤ 0.5V（在拉电流条件下）
　　高电平输入电压（VIH）：≥ 2.0V
　　低电平输入电压（VIL）：≤ 0.8V

74F109D的核心特性之一是其卓越的高速性能，这得益于74F系列采用的先进双极型晶体管结构与肖特基二极管钳位技术。这种设计有效防止了晶体管进入深度饱和状态，从而显著减少了开关过程中的存储时间，提升了整体响应速度。其典型的传播延迟仅为3ns左右，使其成为当时高速数字系统中的理想选择。该芯片在处理高频信号时表现出色，适用于时钟分配网络、地址译码器、状态机控制逻辑等对时序精度要求较高的场合。此外，74F109D具备较强的输出驱动能力，能够直接驱动多个TTL输入负载，减少了对外部缓冲器的需求。
　　另一个重要特性是其良好的电气兼容性。74F109D的输入和输出电平均与标准TTL电平完全兼容，可无缝集成到以TTL为核心的数字系统中。尽管其功耗高于后续的CMOS逻辑系列，但在需要极致速度的应用中，这一权衡是可以接受的。该器件的工作电压范围较窄，集中在5V±5%，因此需要稳定的电源供应以确保可靠运行。其工作温度范围为商业级（0°C至+70°C），适用于大多数室内电子设备环境。
　　74F109D还具备一定的抗噪能力，得益于其明确的高低电平阈值设定（VIH ≥ 2.0V，VIL ≤ 0.8V），能够在存在一定程度噪声干扰的环境中保持稳定逻辑判断。此外，该芯片的三路独立与非门设计提供了良好的电路模块化能力，允许设计者在同一封装内实现多个逻辑功能，节省PCB空间并简化布线。虽然74F系列已逐渐被更高效、更低功耗的CMOS技术取代，但在某些遗留系统升级或特定高速应用中，74F109D仍具有不可替代的价值。

74F109D主要应用于需要高速逻辑运算和快速信号响应的数字电子系统中。其典型应用场景包括计算机主板上的地址和数据总线控制逻辑，用于实现快速的地址译码或中断请求处理。在通信设备中，该芯片可用于构建高速数据路径中的逻辑门控电路，例如在帧同步、信道选择或多路复用控制中执行组合逻辑功能。此外，在工业自动化控制系统中，74F109D常被用于实时状态检测与逻辑判断模块，如PLC（可编程逻辑控制器）中的辅助逻辑单元，用于快速响应传感器输入并生成控制信号。
　　在测试与测量仪器领域，如示波器、逻辑分析仪或信号发生器中，74F109D可用于构建触发控制电路或时序生成模块，利用其低传播延迟特性确保精确的时间控制。在消费类电子产品中，尽管由于功耗原因较少使用，但在一些高性能音频或视频处理设备中，仍可能用于关键路径的逻辑整形与信号选通。
　　此外，74F109D也常用于教育和研发环境，作为学习TTL逻辑电路特性和高速数字设计的教学工具。工程师可通过该芯片直观理解与非门的真值表、传播延迟、扇出能力等基本概念，并进行实际电路搭建与测试。在原型验证阶段，74F109D因其引脚标准化和易于获取的特点，成为快速实现复杂逻辑功能的优选方案。尽管现代设计更多转向低功耗CMOS技术，但在评估旧有系统维护或进行向后兼容设计时，了解74F109D的应用仍然具有重要意义。

SN74F109N
　　CD74F109E
　　MC74F109N