型号：74ALVT16374DG-T
　　制造商：Renesas Electronics / Texas Instruments（原属TI，后授权Renensas等生产）
　　系列：ALVT
　　逻辑功能：双8位透明D类锁存器
　　位数：16位
　　封装类型：TSSOP-56
　　电源电压范围：2.3V ~ 2.7V
　　输入电平兼容性：LVTTL, LVCMOS
　　输出类型：三态
　　最大时钟频率：约200MHz（典型值）
　　传播延迟时间（tpd）：约2.5ns（典型值）
　　建立时间（tsu）：约1.5ns
　　保持时间（th）：约0.5ns
　　静态电流（ICC）：约50mA（最大值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　引脚数量：56
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　数据保持电压（Vret）：≥1.4V（最小值）

74ALVT16374DG-T的核心特性之一是其基于ALVT（Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology）工艺设计，结合了双极型晶体管的高速驱动能力和CMOS结构的低功耗优势，使其在保持极高开关速度的同时实现较低的动态功耗。这种技术特别适用于需要频繁进行数据锁存和传输的系统环境，如高速总线接口或并行数据通道管理。
　　该器件内部集成了两个完全独立的8位锁存器模块，分别由各自的输出使能（OE）和锁存使能（LE）控制信号驱动，允许用户灵活地对高低字节进行独立操作。当LE为高电平时，输入数据直接“透明”传输至输出端；而当LE变为低电平后，当前输入数据被锁定并保持不变，即使输入发生变化也不会影响输出，从而实现有效的数据采样与保持功能。
　　所有输出端均具备三态控制功能，通过OE信号可将输出置于高阻抗状态，允许多个器件共享同一总线而不发生冲突，非常适合构建可扩展的数据路径架构。此外，该芯片支持热插拔（Hot Insertion）特性，在系统运行过程中插入或移除电路板时不会导致总线扰动或损坏器件，提升了系统的可维护性与可靠性。
　　为了增强抗噪能力和信号完整性，74ALVT16374DG-T优化了内部布线和驱动级设计，具有良好的共模噪声抑制性能，并且输出边沿速率受控，减少反射和串扰问题。器件还内置了上电复位（Power-On Reset）机制，确保在电源上升过程中输出保持高阻态，避免未知状态引发的误操作。
　　另一个关键特性是其宽工作温度范围（-40°C至+85°C），使其不仅适用于商业级设备，也能满足工业级和部分车载电子系统的严苛环境要求。同时，器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，适应现代绿色电子产品设计趋势。

74ALVT16374DG-T主要应用于需要高速、多通道数据锁存与缓冲的复杂数字系统中。一个典型的应用场景是在高性能计算平台或服务器主板中作为地址/数据总线的锁存缓冲器，用于在多周期操作中保持地址信息或中间计算结果，确保处理器与外设之间的同步通信。在这些系统中，该芯片能够有效隔离主控单元与外围模块之间的电气负载，提升整体信号完整性与时序裕量。
　　在通信基础设施领域，如路由器、交换机和基站控制器中，74ALVT16374DG-T常用于实现并行数据路径的电平转换与信号重驱动，特别是在背板总线接口电路中扮演关键角色。其低延迟和高驱动能力有助于延长信号传输距离并提高系统吞吐率。
　　此外，该器件也广泛应用于测试测量仪器、工业自动化控制系统以及数字视频处理设备中，用于构建可编程I/O扩展模块、状态寄存器或中断向量锁存单元。在需要热插拔支持的冗余电源模块或插卡式架构中，其高阻态输出和上电安全特性可显著降低系统故障风险。
　　由于其兼容LVTTL/LVCMOS电平并支持2.5V供电环境，该芯片还可作为不同电压域之间的接口桥梁，实现跨电压信号传递与电平匹配。在FPGA或ASIC周边电路设计中，常被用作通用目的寄存器，辅助配置加载、调试信号捕获等功能。总之，凡是涉及高速、多比特数据暂存与总线隔离的应用场合，74ALVT16374DG-T都是一种可靠且高效的选择。

SN74ALVT16374DGGR
　　74ALVT16374DBR