型号：74ACT244D
　　类型：八路非反相三态缓冲器/驱动器
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　最大传播延迟：约 5.5ns（典型值，@ 5V）
　　输出电流：±24mA（灌电流/拉电流）
　　输入电平兼容性：TTL 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SO-20（20引脚小外形封装）
　　逻辑系列：ACT-CMOS
　　输出类型：三态
　　通道数：8（分为两组4位）
　　静态功耗：极低（典型值 < 10μA）
　　时钟频率支持：高达 100MHz 以上（取决于负载）
　　上升/下降时间：约 2.5ns（典型值）
　　扇出能力：高（可驱动多个TTL输入）
　　最大电源电流：约 80mA（最坏情况）
　　输入漏电流：最大 ±1μA（@ VCC 或 GND）

74ACT244D的核心特性在于其结合了高速双极型TTL性能与CMOS低功耗的优势。该器件采用先进的硅栅CMOS工艺，实现了类似于74F系列的传输速度，同时显著降低了静态和动态功耗。其典型的传播延迟仅为5.5ns，在5V供电条件下可支持超过100MHz的数据速率，适用于高速总线环境下的信号传输。
　　该芯片内部集成了两个独立的四通道非反相缓冲器，每组由各自的输出使能控制（1OE和2OE），使得用户可以灵活地控制不同总线段的驱动状态。当使能端为低电平时，对应组的输出有效，输入信号被复制到输出端；当使能端为高电平时，输出进入高阻抗状态，从而避免总线冲突。这种三态输出结构特别适用于多设备共享同一总线的系统架构，如微处理器系统中的地址或数据总线扩展。
　　输入端口设计为TTL电平兼容，意味着即使输入信号来自标准TTL逻辑（如74LS系列），也能正确识别高低电平，无需额外电平转换电路。这大大增强了其系统集成能力。同时，输出驱动能力强，每个输出可提供高达24mA的灌电流，足以驱动多个TTL负载，适用于高扇出应用场景。
　　此外，74ACT244D具备良好的抗噪性能，得益于CMOS工艺固有的高噪声容限。其电源电压工作范围为4.5V～5.5V，确保在标准5V系统中稳定运行。器件还内置了保护电路，防止静电放电（ESD）损伤，典型HBM（人体模型）耐受能力可达2kV以上。SO-20封装形式不仅节省PCB空间，而且符合现代自动化贴片生产的要求，适合大规模批量应用。

74ACT244D广泛应用于需要高速、高驱动能力三态缓冲功能的数字系统中。典型应用包括微处理器和微控制器系统的总线驱动，例如在地址总线或数据总线上作为缓冲器使用，以增强信号完整性并提高扇出能力。在多主控系统或多处理器架构中，该器件可用于总线隔离和信号路由，防止总线争用问题。
　　在存储器接口设计中，74ACT244D可用于驱动EEPROM、SRAM或Flash存储器的控制信号，如片选（CS）、输出使能（OE）等，确保信号在长走线或高容性负载下仍能保持清晰的波形。此外，在工业控制设备、通信模块、测试仪器和嵌入式系统中，该芯片常用于电平缓冲、信号再生和总线扩展功能。
　　由于其三态输出特性，74ACT244D也适用于构建可配置I/O接口或方向可控的数据路径。例如，在双向总线系统中，配合其他控制逻辑，它可以作为单向驱动单元参与数据流向管理。在FPGA或CPLD外围电路中，该器件可用于驱动外部高负载信号线，弥补可编程逻辑器件输出驱动能力不足的问题。
　　另外，74ACT244D也常见于原型开发板、教学实验平台和工业背板系统中，作为通用缓冲元件使用。其高速响应和可靠性能使其成为替代老旧74F244的理想选择，在保持原有设计兼容性的同时提升能效和稳定性。

SN74ACT244N
　　CD74ACT244E
　　74ACT244NSR
　　MC74ACT244N