时间：2025/10/6 11:43:16
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74ABT841D是一款由NXP Semiconductors生产的先进BiCMOS TTL（ABT）系列的八路D型触发器集成电路。该器件专为高速、高性能的数字逻辑应用而设计，广泛应用于需要可靠数据锁存和同步功能的系统中。74ABT841D包含八个独立的D型触发器，每个触发器均具有数据输入（D）、时钟输入（CP）、输出（Q）以及公共时钟使能（G）和输出使能（OE）控制引脚。这些触发器在时钟脉冲的上升沿对输入数据进行采样，并将其传输到对应的输出端口。该器件采用标准的20引脚SOIC（Small Outline Integrated Circuit）封装，符合工业级温度范围要求，适用于多种商业和工业环境下的数字电路设计。
74ABT841D属于74ABT系列，该系列结合了双极性晶体管的高驱动能力和CMOS技术的低功耗优势，从而在保持高速性能的同时降低了静态功耗。其输入和输出电平兼容TTL和LVTTL标准，能够无缝集成到现有系统中。此外，该器件具备高噪声 immunity 和出色的驱动能力，适合用于总线接口、寄存器文件、数据缓冲和时序控制等应用场景。由于其稳定的电气特性和可靠的制造工艺，74ABT841D被广泛应用于通信设备、工业控制、测试仪器和消费类电子产品中。
类型：八路D型触发器
电路数：8
电源电压范围：4.5V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：SO20
逻辑电平：TTL/ABT
传播延迟典型值：5ns（@ VCC=5V）
时钟频率最大值：200MHz
输入电压高电平最小值：2.0V
输入电压低电平最大值：0.8V
输出电流高电平：-24mA
输出电流低电平：64mA
引脚数：20
安装类型：表面贴装
74ABT841D的核心特性之一是其基于BiCMOS工艺实现的高性能逻辑架构，这种技术融合了双极型晶体管的快速开关能力和CMOS结构的低静态功耗优势。这使得该器件在高频操作下仍能保持较低的功耗水平，同时提供强大的输出驱动能力，特别适合驱动重负载或长距离传输线路。每个D型触发器都在时钟信号的上升沿触发，确保了数据锁存的精确性和同步性。所有触发器共享一个公共时钟输入（CP）和时钟使能（G），允许用户通过控制G引脚来启用或禁用整个寄存器组的时钟响应，从而实现高效的时序管理和功耗控制。
另一个关键特性是其输出使能（OE）功能，该引脚为三态控制端，当OE被拉低时，所有输出进入高阻抗状态，允许器件与共享总线系统安全地连接和断开，避免总线冲突。这一功能使其非常适合用于多设备共享数据总线的应用场景，如微处理器系统中的I/O扩展、数据缓冲寄存器和地址锁存器等。此外，74ABT841D具有出色的抗噪声性能，其输入端具备优化的迟滞设计，有效抑制了因信号反射或串扰引起的误触发问题，提升了系统稳定性。
该器件还具备宽电源电压容忍度（4.5V–5.5V），适应不同电源条件下的稳定运行，并支持工业级温度范围（-40°C至+125°C），可在恶劣环境中可靠工作。其SO20小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间，还便于自动化装配，提高生产效率。所有输入端均内置串联电阻，有助于减少过冲和振铃现象，进一步增强信号完整性。综上所述，74ABT841D凭借其高速、高驱动、低功耗和强健的电气特性，成为传统TTL逻辑器件的理想升级选择。
74ABT841D广泛应用于需要高速数据采集、锁存和传输的数字系统中。在微处理器和微控制器系统中，它常被用作地址或数据总线的锁存器，用于在多路复用总线上保持地址信息，从而实现对外设或存储器的正确寻址。例如，在8051架构或类似并行总线系统中，该器件可用于锁存P0口输出的低8位地址信号，配合ALE（Address Latch Enable）信号完成地址与数据的分离。此外，由于其具备三态输出功能，74ABT841D也适用于构建可配置的I/O端口扩展模块，允许FPGA或MCU通过并行接口控制多个外设而不造成总线争用。
在通信系统中，该芯片可用于并行数据缓存，将来自串行转并行转换器的数据临时存储，以便后续处理或转发。在工业自动化领域，74ABT841D可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的状态寄存器或输出保持寄存器，确保控制信号在扫描周期之间保持稳定。测试与测量设备中，它可用于采样保持逻辑，精确捕获被测信号的状态。此外，该器件还可用于视频处理系统中的像素数据暂存、打印机控制器中的命令缓冲区以及各种需要同步多路数据的场合。得益于其高噪声 immunity 和稳定的输出驱动，即使在电磁干扰较强的工业现场也能可靠运行。
SN74ABT841BDG4
SN74ABT841BDWRG4
