型号：74ABT374AD-T
　　制造商：NXP Semiconductors
　　逻辑系列：74ABT
　　器件类型：八路D型触发器（带三态输出）
　　电源电压范围：4.5V 至 5.5V
　　最大工作频率：100 MHz（典型值）
　　传播延迟时间（典型值）：3.5ns（VCC=5V, TA=25°C）
　　输出驱动能力：±24mA（输出低电平/高电平）
　　输入电平兼容性：TTL 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SO16 (SOP)
　　引脚数：16
　　最大静态电流：8mA（VCC=5.5V）
　　动态功耗：Pd ≈ 100mW（典型应用条件下）
　　上升/下降时间（典型值）：2.5ns

74ABT374AD-T的核心特性在于其结合了BiCMOS技术的优势，实现了高速传输与较低功耗之间的良好平衡。该器件采用先进的制造工艺，确保在5V电源供电下提供卓越的开关速度，传播延迟仅为3.5ns左右，能够满足高频时钟环境下的数据锁存需求。其输出级设计支持高达±24mA的驱动电流，尤其在低电平输出时可有效拉低负载电压，显著增强对总线的驱动能力，适用于长距离信号传输或多个负载并联的应用场景。
　　该芯片的三态输出控制机制使其非常适合用于双向或多设备共享的数据总线系统。通过统一的输出使能端（OE），可以灵活地将所有八个输出置于高阻态，从而防止总线争用问题。此外，所有触发器均在时钟上升沿触发，保证了数据采样的同步性和稳定性，提升了系统的整体时序一致性。
　　74ABT374AD-T具备优异的抗噪声性能和温度稳定性，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内可靠工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。其输入端口具有TTL电平兼容性，可以直接与标准TTL逻辑电路接口而无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该器件还集成了过压保护和静电放电（ESD）防护功能，HBM模型下可承受超过4000V的静电冲击，增强了在实际生产、装配和运行过程中的可靠性。SO16小型化封装不仅节省PCB空间，而且符合现代电子产品向轻薄化发展的趋势。同时，该封装具有良好的散热性能，有助于维持长时间高负载运行下的电气稳定性。

74ABT374AD-T常用于需要高速数据锁存与总线隔离的数字系统中。典型应用场景包括微处理器外围接口电路中的地址/数据总线锁存器，用于暂存来自CPU的数据信息，以协调不同速度外设之间的数据交换。在通信设备中，它可用于帧同步、数据缓存和串并转换模块，确保信号在不同时钟域之间安全传递。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片可作为I/O扩展模块的数据锁存单元，将控制器发出的控制命令锁定并稳定输出至执行机构，提高系统的响应精度和抗干扰能力。此外，在测试测量仪器和数据采集系统中，74ABT374AD-T可用于采样保持功能，精确捕获瞬态信号并在后续阶段进行处理。
　　由于其强大的驱动能力和三态输出特性，该器件也广泛应用于LED显示驱动、继电器阵列控制和多路信号选择电路中。在高性能嵌入式系统和服务器主板上，常被用作内存缓冲器或总线收发器的一部分，提升数据吞吐效率。此外，因其工业级温度适应性和高可靠性，也被用于车载电子、轨道交通控制单元及航空航天电子模块中，承担关键的数据同步任务。

74ABT374AD
　　74ABT374PW
　　SN74ABT374APWR
　　MB74ABT374APF
　　HD74ABT374AP