时间：2025/8/24 5:58:24
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749010011 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率的电源管理和开关应用。它采用了先进的 Trench MOS 技术，提供了低导通电阻和高电流承载能力。749010011 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块以及电池供电设备中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.4A
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：35W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
749010011 具有多种电气和热性能优势。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，使其适用于中低压功率转换应用，如电源适配器、DC-DC 转换器和电机控制电路。
该器件的最大连续漏极电流为 8.4A，能够支持较高的负载需求。栅源电压最大为 ±20V，确保了栅极驱动的稳定性并提高了抗干扰能力。在 VGS=10V 时，RDS(on) 仅为 18mΩ，而在较低的 VGS=4.5V 时，RDS(on) 为 27mΩ，这种特性使得该 MOSFET 在不同的驱动条件下都能保持良好的性能。
此外，749010011 的封装形式为 TO-220，具有良好的散热能力，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用。其功率耗散能力为 35W，确保在较高负载条件下仍能保持稳定运行。工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应广泛的工业环境应用需求。
749010011 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用场景包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理单元（PMU）、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。它也常用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子模块中，提供高效的功率开关功能。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，749010011 特别适合用于需要高能效和高可靠性的电源系统。例如，在笔记本电脑和移动设备的电源管理模块中，该 MOSFET 可用于高效地控制电源流向，减少能量损耗并提高设备续航时间。在工业应用中，它可以用于电机驱动和继电器替代方案，以提高系统的响应速度和可靠性。
IRFZ44N, FDP3632, FQP30N06L, IRLZ44N
