时间：2025/12/29 17:32:34
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74479762122 是一种高性能、低噪声的射频(RF)晶体管，适用于广泛的应用领域，如通信设备、工业控制系统和消费电子产品。该晶体管基于先进的硅(Si)技术，提供优异的高频性能和可靠性。
类型：射频晶体管(RF Transistor)
材料：硅(Si)
最大耗散功率(Pd)：300毫瓦(mW)
集电极-发射极电压(Vceo)：12伏(V)
集电极电流(Ic)：100毫安(mA)
工作频率范围：2.4GHz - 5.8GHz
噪声系数(NF)：0.8dB
增益(G)：18dB
封装类型：SOT-89
74479762122射频晶体管具备低噪声系数和高增益特性，这使其成为无线通信系统中信号放大的理想选择。其频率范围覆盖了常见的2.4GHz和5.8GHz频段，支持Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等无线技术。此外，该器件的紧凑封装设计(SOT-89)使其适用于空间受限的电路板布局。晶体管的高线性度确保了信号传输的清晰度，同时降低了失真。硅材料的使用不仅提高了器件的稳定性，还增强了其在不同环境温度下的可靠性。最后，该晶体管的功耗较低，有助于延长电池供电设备的使用时间。
74479762122主要用于无线通信设备中的射频信号放大，例如Wi-Fi路由器、蓝牙模块和ZigBee设备。此外，它也可用于射频接收器前端、低噪声放大器(LNA)、工业传感器和便携式电子设备。
BFQ114, BFP183, BFG21
