744774115 时间：2025/12/29 15:29:49 阅读：12

744774115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能、低噪声、宽带双极型晶体管（BJT），专为射频（RF）和高频应用设计。这款晶体管在高频放大器、低噪声放大器（LNA）、混频器和其他射频电路中表现出色。其优异的性能使其成为无线通信、测试设备、雷达系统和广播设备等领域的理想选择。

参数

类型：双极型晶体管（BJT）
　　材料：硅（Si）
　　封装类型：表面贴装（SOT-89）
　　最大工作频率：2.5 GHz
　　增益：20 dB（典型值）
　　噪声系数：1.5 dB（典型值）
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大功耗：300 mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　供电电压：5 V至12 V
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装尺寸：4.5 mm x 2.5 mm x 1.5 mm

特性

744774115是一款专为高频和射频应用设计的低噪声晶体管。其主要特性之一是能够在高达2.5 GHz的频率下提供稳定的性能，使其适用于现代无线通信系统中的高频放大需求。该晶体管的噪声系数仅为1.5 dB，确保在低噪声放大器（LNA）应用中能够有效降低系统噪声，提高接收信号的灵敏度。此外，该器件的增益可达20 dB，能够在较宽的频率范围内提供高增益放大，满足射频前端设计的需求。其SOT-89封装设计不仅提供了良好的热管理和机械稳定性，还支持表面贴装技术，便于自动化生产和紧凑型电路设计。该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的应用需求，确保在极端条件下依然保持稳定性能。

应用

744774115广泛应用于射频和微波通信系统，尤其是在低噪声放大器（LNA）、射频混频器、频率合成器、无线基站和接收器前端电路中。它也常用于测试与测量设备、雷达系统、广播发射器以及各类高频放大器模块。此外，该晶体管还适用于无线局域网（WLAN）、蜂窝通信、卫星通信和物联网（IoT）设备中的射频信号处理电路。由于其优异的高频特性和低噪声性能，该器件在需要高灵敏度和高稳定性的射频系统中具有广泛的应用前景。