744772033 时间：2025/8/24 6:01:46 阅读：11

744772033 是一款由 Nexperia（原飞利浦半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于需要高效功率控制的应用，例如电源管理、开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等。这款 MOSFET 具有低导通电阻和高电流处理能力，能够提供出色的电气性能和热稳定性。

参数

类型：功率 MOSFET
　　晶体管结构：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：100A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 2.7mΩ（在 Vgs = 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

744772033 MOSFET 的主要特性包括：
　　1. **低导通电阻**：该器件在栅极电压为 10V 时，漏源导通电阻仅为 2.7mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　2. **高电流处理能力**：最大漏极电流可达 100A，适用于高功率应用场景。
　　3. **宽温度范围**：工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适合在极端环境下运行。
　　4. **高耐压能力**：漏源电压最大为 30V，栅源电压最大为 ±20V，具备良好的电压耐受性。
　　5. **优异的热稳定性**：采用 TO-263 封装，具有良好的散热性能，确保器件在高负载下稳定运行。
　　6. **快速开关特性**：具备较低的开关延迟时间，适用于高频开关应用。

应用

744772033 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. **电源管理系统**：用于高效 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配系统。
　　2. **电动工具和电池管理系统**：适用于需要高电流控制的电动工具和电池供电设备。
　　3. **工业自动化设备**：如伺服电机控制、工业电源模块等。
　　4. **汽车电子**：用于车载电源系统、电池管理系统和汽车电子控制单元。
　　5. **通信设备**：适用于高效率的通信电源模块和数据存储设备的电源管理。