时间：2025/7/24 2:39:18
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744771118 是一款由 Vishay / Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛用于需要高效率、高速开关性能的电路中，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。744771118 以其低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热性能著称，适合用于高功率密度设计中。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：11A（@100°C）
漏源击穿电压（Vds）：30V
栅源击穿电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V Vgs，最大为 22mΩ；@2.5V Vgs，最大为 30mΩ
功率耗散：44W（表面贴装，Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
744771118 具有多个显著的性能特点，使其适用于各种高功率和高效率应用。
首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，在 4.5V 栅极驱动电压下可低至 22mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如 2.5V）下，其导通电阻仍保持在合理范围内（最大 30mΩ），使得它适用于低电压控制系统。
其次，744771118 具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为 11A，在高功率应用中可以支持较大的负载。同时，该器件的热阻较低，结合 PowerPAK SO-8 双散热焊盘封装，能有效降低工作温度，提高器件的稳定性和可靠性。
此外，744771118 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提高开关频率下的效率。这对于高频开关应用（如 DC-DC 转换器、同步整流器等）尤为重要。
最后，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下（如短路或过载）提供额外的保护，提高系统的鲁棒性。744771118 的这些特性使其成为高性能功率管理系统的理想选择，尤其适用于需要高效率、小尺寸和良好热管理的设计场景。
744771118 MOSFET 主要应用于需要高效能功率控制的电子系统中。在 DC-DC 转换器中，该器件用于同步整流和高频开关，以提高转换效率并减小电源模块的体积。在负载开关电路中，744771118 可用于控制电源路径，实现快速启停和低功耗模式管理，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备的电源管理单元。此外，该器件也可用于电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中的高侧或低侧开关。由于其高电流能力和低导通损耗，744771118 还常用于电源分配系统、服务器电源模块和 LED 照明控制电路中。在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统的功率管理模块。
Si4410DY-T1-GE3, AO4406A, FDS4410A, IPD30N03S4-07
