74456147 时间：2025/12/29 17:19:26 阅读：15

74456147 是一个由 Vishay Semiconductors 制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，通常用于高电流、高效率的开关应用，例如在电源管理、电机控制和负载开关电路中。这款器件采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）以及卓越的热性能，适用于高频率操作。

参数

类型：MOSFET（N 沟道）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　漏极电流（ID）：50A（最大）
　　RDS(on)：最大 0.005 欧姆（典型值约 0.004 欧姆）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　功耗（Ptot）：125W
　　晶体管配置：单

特性

74456147 MOSFET 的关键特性之一是其极低的导通电阻，这使其在高电流条件下具有非常低的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，确保了卓越的导电性能和热稳定性，能够在高频率下工作，适合用于开关电源和DC-DC转换器。
　　此外，该MOSFET具有良好的热阻特性，能够在高功率操作条件下保持稳定的工作温度，提高了器件的可靠性和寿命。其TO-263封装设计便于焊接和散热管理，适合高密度PCB布局。74456147还具备良好的抗静电能力，能够在工业环境中保持稳定的性能。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，74456147特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用，例如电动工具、电动车驱动系统、电池管理系统和工业自动化设备。

应用

74456147 MOSFET广泛应用于各种电力电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及电池供电设备。它也常见于工业自动化设备中的高电流控制电路，例如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器。此外，该器件在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、起动系统和LED照明驱动器等。由于其出色的导热性能和高频响应能力，74456147也适用于高频开关电源和功率放大器设计。