时间：2025/8/8 5:00:46
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7443551470 是一款由 Vishay Siliconix 制造的双N沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻和高功率效率。该器件广泛用于需要高效能和高密度电源管理的场合，如DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电池供电设备。该MOSFET封装在SOT-23（SC-59）小型封装中，便于在空间受限的设计中使用，并提供了良好的热性能。
类型：增强型MOSFET
沟道类型：N沟道x2
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
7443551470 MOSFET采用Vishay的TrenchFET技术，这使其在小型封装中实现了卓越的电气性能。其低导通电阻RDS(on)在1.8V栅极驱动下仍能保持较低水平，确保了在低电压应用中的高效率。此外，该器件具有快速开关特性，减少了开关损耗，非常适合高频操作。每个通道独立操作，且两个通道共享一个公共源极连接，便于并联使用以提升电流能力。
该MOSFET的封装形式为SOT-23，是一种常见的表面贴装封装，提供了良好的散热性能和空间利用率。由于其低电容和快速响应时间，7443551470非常适合用于高速开关应用，如DC-DC转换器和负载开关。此外，该器件的高可靠性使其适用于电池供电设备、手持设备和便携式电子产品中的电源管理系统。
7443551470的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其能够在极端温度条件下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在1.8V至12V之间工作，提供了更大的设计灵活性。
7443551470 MOSFET常用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、便携式电子设备、电池供电系统、手持设备、工业控制系统和汽车电子中的低电压高效率开关应用。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDV301N, NDS355AN
