时间：2025/12/27 17:27:26
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72PMR10K是一款由Vishay Siliconix公司生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及需要低导通电阻和低电压操作的场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有优异的导通性能和热稳定性，能够在较小的封装内提供较高的电流承载能力。72PMR10K特别适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品。
该MOSFET的工作电压范围适合在低电压系统中使用，其栅极阈值电压设计允许与常见的逻辑电平直接接口，从而简化了驱动电路的设计。此外，72PMR10K具备良好的热性能和高可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级认证，确保其在各种环境条件下稳定运行。器件通常采用小型表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。
型号：72PMR10K
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20 V
最大栅源电压（VGS）：±12 V
连续漏极电流（ID）：-5.4 A（@TC=70℃）
脉冲漏极电流（IDM）：-16 A
导通电阻（RDS(on)）：10 mΩ（@VGS=-4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ（@VGS=-2.5V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V ~ -2.0 V
输入电容（Ciss）：900 pF（@VDS=10V）
开启时间（Ton）：约15 ns
关断时间（Toff）：约25 ns
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerPAK SO-8L
安装方式：表面贴装
导通状态下的最大功率耗散（PD）：2.5 W（@TC=25℃）
72PMR10K采用高性能沟槽工艺制造，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其典型RDS(on)仅为10mΩ（在VGS = -4.5V条件下），这意味着即使在高负载电流下也能保持较低的温升，减少散热需求。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长电池续航时间。
该器件的栅极驱动电压兼容3.3V和5V逻辑电平，在现代数字控制系统中无需额外的电平转换电路即可实现直接驱动，极大简化了设计复杂度并降低了物料成本。同时，其负向阈值电压设计合理，避免了误触发问题，提升了开关控制的可靠性。
72PMR10K还具备出色的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣的电气环境中长期稳定运行。其封装采用PowerPAK SO-8L结构，优化了热传导路径，使热量更高效地从芯片传递到PCB，增强了散热性能。相比传统SO-8封装，PowerPAK版本去除了中央引脚下的金属板限制，进一步提升了热阻表现。
此外，该MOSFET具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的动态损耗，提高高频开关应用中的响应速度。其快速的开启和关断时间使其适用于DC-DC转换器、同步整流等高速切换场景。综合来看，72PMR10K是一款集低导通电阻、高开关速度、良好热性能和紧凑封装于一体的高性能P沟道MOSFET，非常适合用于现代高效能、小型化电源系统设计。
72PMR10K常被用于各类低电压、高效率的电源管理系统中，特别是在便携式电子设备中作为负载开关或反向电流保护元件。它可以用于电池供电系统的主电源开关，以实现待机模式下的零功耗或极低静态电流运行。在移动设备中，如智能手机和平板电脑，该器件可用于背光驱动、摄像头模块供电控制或外设电源管理，实现精确的上电时序控制和节能管理。
此外，72PMR10K也广泛应用于DC-DC降压变换器中的高端开关或同步整流器部分，利用其低RDS(on)特性来提高转换效率。在热插拔电路中，该MOSFET可用于软启动控制，防止浪涌电流损坏后级电路，保障系统安全。
工业控制领域中，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元或小型电机驱动电路中的电源切换功能。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可部署于汽车电子中的非动力域电源管理模块，如车载信息娱乐系统或车身控制模块。
另外，得益于其小型封装和表面贴装特性，72PMR10K适用于高密度PCB布局设计，满足现代电子产品对微型化和轻薄化的需求。无论是消费类还是工业类应用，只要涉及低压、大电流、高效率的开关控制，72PMR10K都是一个可靠且高效的解决方案。
Si7210DP-T1-GE3,SZ2301A,DMG2301U,MCH2301AP,RHK2301
