71HFR120 时间：2025/12/26 20:13:09 阅读：9

71HFR120是一款由Vishay Siliconix公司生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低功耗的电源管理应用而设计，广泛应用于便携式电子产品、电池供电设备以及负载开关电路中。71HFR120具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，能够在较小的封装内实现优异的电气性能。其SOT-23小外形晶体管封装使其非常适合空间受限的应用场景，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。该MOSFET在栅极电压为-4.5V或-2.5V时均能保持较低的导通电阻，适用于多种逻辑电平控制环境。此外，71HFR120具备优良的抗雪崩能力和可靠性，在瞬态负载变化和电源波动条件下仍能稳定工作。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适合现代电子产品的可持续发展需求。通过优化内部结构设计，71HFR120在减少寄生参数的同时提升了整体开关效率，有效降低系统功耗与发热，延长终端产品的使用寿命。

参数

型号：71HFR120
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（@VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：42mΩ（@VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：325pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：70pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：6ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

71HFR120采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种垂直沟道结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提高了功率密度并减少了能量损耗。其P沟道设计允许在高端开关配置中直接驱动，无需额外的电荷泵电路，简化了电源管理系统的设计复杂度。在-4.5V栅极驱动下，RDS(on)仅为32mΩ，这使得它在低电压、大电流应用场景中表现出色，例如DC-DC转换器中的同步整流或电池供电系统的电源切换。即使在较低的-2.5V逻辑电平驱动下，其导通电阻也仅上升至42mΩ，展现出良好的宽电压适应能力，兼容3.3V和2.5V控制系统。
　　该器件具有快速的开关响应特性，开启延迟时间为6ns，关断延迟时间为18ns，能够支持高频开关操作，减少开关过程中的交越损耗，提升整体系统效率。输入电容（Ciss）为325pF，反向传输电容（Crss）为70pF，在高频应用中有助于降低驱动损耗和电磁干扰（EMI）。同时，较低的栅极电荷（Qg）进一步增强了其动态性能，使控制器更容易驱动，尤其适用于由微控制器GPIO直接控制的场合。
　　71HFR120具备出色的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，并内置热保护机制，防止因过热导致永久性损坏。SOT-23封装虽小巧，但经过优化的引脚布局和内部连接方式确保了良好的散热性能。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级认证的部分测试项目，具备一定的工业级和汽车级应用潜力。静电放电（ESD）防护能力较强，HBM模型下可承受±2000V以上的电压冲击，提高了在生产和使用过程中的鲁棒性。

应用

71HFR120广泛用于需要高效能、小尺寸P沟道MOSFET的各种电源管理电路中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关和电源路径管理。在这些设备中，它常被用来控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统休眠模式。此外，该器件适用于电池供电系统中的反向电流阻断和充放电控制，确保电源不会从负载端倒灌回电池，提高安全性。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是降压（Buck）变换器的高端开关配置中，71HFR120可以作为主开关元件使用，配合电感和续流二极管完成电压调节任务。由于其低导通电阻和快速开关特性，有助于提升转换效率并减少发热。它也可用于OR-ing电路中，实现多电源输入选择，自动切换主备电源，保障系统持续运行。
　　在工业控制、医疗仪器和物联网节点设备中，71HFR120可用于信号切换、继电器替代和电机驱动中的低端开关控制。其SOT-23封装非常适合高密度PCB布局，支持回流焊工艺，适合大规模自动化组装。此外，该器件还适用于热插拔电路设计，能够在不断电的情况下安全接入或移除子系统模块，避免电流浪涌对系统造成影响。