71HF10 时间：2025/12/26 21:24:18 阅读：17

71HF10是一款由Vishay Siliconix（威世硅集成）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场板设计，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出优异的性能。71HF10特别适用于需要低导通损耗和快速开关响应的系统，能够有效提升整体能效并降低热耗散。其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合通孔安装，便于在工业级电路板上进行布局与维护。该MOSFET工作温度范围宽，能够在恶劣环境下稳定运行，是许多中高功率电子设备中的关键元件之一。

参数

型号：71HF10
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：38 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：150 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 10 V：10 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V：13 mΩ
　　栅极电荷（Qg）典型值：65 nC
　　输入电容（Ciss）典型值：2600 pF
　　输出电容（Coss）典型值：490 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：TO-220AB

特性

71HF10采用了Vishay成熟的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构通过在硅片表面刻蚀出垂直沟道来增加单位面积内的导电通道数量，从而显著降低RDS(on)，提高电流承载能力。其典型导通电阻仅为10mΩ（在VGS=10V时），意味着在大电流条件下功耗极低，有助于减少发热并提升系统效率。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好导通状态（RDS(on)在4.5V时为13mΩ），使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，适用于现代嵌入式控制系统中的直接驱动需求。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，栅极电荷Qg仅为65nC，降低了驱动电路的能量消耗和延迟，有利于实现高频PWM控制，常见于同步整流、半桥/全桥拓扑结构中。同时，其输入电容和输出电容分别为2600pF和490pF，在高频工作时可减少无功功率损耗，并配合快速的反向恢复时间（trr=45ns），有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，提升系统可靠性。
　　在热管理方面，TO-220AB封装提供了优良的热传导路径，允许将芯片产生的热量高效传递至散热器或PCB铜箔区域，支持长时间满负荷运行。器件的最大结温高达+175°C，确保在高温工业环境或密闭空间内依然保持稳定性能。此外，它具备良好的雪崩能量承受能力，增强了对电压瞬变和感性负载突变的耐受性，提高了系统的鲁棒性。内置的快速体二极管也使其适用于需要续流功能的应用场合，如H桥电机驱动中的自由轮换流。

应用

71HF10常用于各类高效率开关电源系统，包括服务器电源、电信整流模块、LED驱动电源以及太阳能逆变器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为同步整流电路中的理想选择，尤其在低压大电流输出的DC-DC变换器中表现突出。此外，该器件也被广泛应用于电动工具、无人机电调、电动汽车辅助系统等电机驱动领域，作为H桥或三相逆变器中的开关元件，提供快速响应和低损耗控制。在工业自动化设备中，71HF10可用于PLC输出模块、固态继电器及电磁阀驱动电路，实现精确的负载控制。由于其高可靠性和宽温度适应范围，也适合部署在户外通信基站、轨道交通控制系统等严苛环境中。