7164S70是一种静态随机存取存储器(SRAM),广泛应用于需要高速数据访问的电子设备中。它具有低功耗、高速度和可靠性强的特点,适用于工业控制、通信设备以及嵌入式系统等领域。
该芯片通常采用CMOS工艺制造,提供了较大的存储容量,并且具备异步操作能力,使得其在多种应用环境中表现出色。
7164S70 (GEN)
容量:8K x 8位
电源电压:5V ± 10%
访问时间:70ns
封装类型:28引脚DIP或SOIC
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
输入/输出电平:TTL兼容
最大待机电流:10mA
读取电流:典型值为150mA
7164S70 SRAM芯片采用了先进的CMOS技术,确保了高性能与低功耗的结合。其70ns的访问时间使其适用于高速缓存和其他对速度要求较高的应用场景。
该芯片支持异步操作,不需要时钟信号即可进行读写操作,这使得它非常适合用于传统的微处理器系统中。
此外,7164S70具有较强的抗干扰能力和稳定性,在复杂电磁环境下依然能够稳定运行。
该器件还具备自动低功耗模式,在未被访问时自动进入低功耗状态,从而延长电池寿命并减少热量产生。
7164S70 SRAM常用于工业控制系统、数据采集设备、通信模块、医疗仪器以及消费类电子产品中的临时数据存储单元。
在嵌入式系统中,它可以用作高速缓存或缓冲区,以提高系统的响应速度和处理效率。
同时,由于其高可靠性和宽工作温度范围,也被广泛应用于汽车电子和航空航天等对环境适应性有严格要求的领域。
IS61C64AL-70TLLI, CY62148EV30LL-70B, HM628512PFP-70