时间：2025/6/29 22:55:04
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7164S25 是一款由 General Semiconductor（通用半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于标准的 TO-220 封装类型。该器件广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、开关电源和电机控制等高电流应用中。其设计旨在提供高效的开关性能和较低的导通电阻，从而减少功耗并提高系统效率。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电压 (VDSS)：200V
最大漏极电流 (ID)：16A
导通电阻 (RDS(on))：0.15Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压 (VGS(th))：2V~4V
最大耗散功率 (PD)：50W
封装形式：TO-220
7164S25 的核心优势在于其出色的导电性能与热稳定性。
首先，它的低导通电阻 RDS(on) 为 0.15Ω，在 VGS=10V 的条件下能够实现高效的电流传输，显著降低导通损耗，这对高频开关应用尤为重要。
其次，该器件具备较高的最大漏极电压（200V）和最大漏极电流（16A），使其适用于中高压应用场景，例如工业电源、电动工具及逆变器等。
此外，7164S25 的 TO-220 封装提供了良好的散热能力，增强了在高温环境下的稳定性和可靠性，确保长期运行的安全性。
栅极阈值电压范围在 2V 到 4V 之间，兼容多种驱动电路，包括常见的 CMOS 和 TTL 驱动器，方便用户进行电路设计。
最后，该器件的最大耗散功率为 50W，表明它能够在较高负载下工作而不至于过热，进一步扩展了其应用范围。
7164S25 主要应用于以下领域：
在开关电源中，作为主开关或同步整流器使用，以提高转换效率；
在 DC-DC 转换器中，用于升压或降压电路，特别是在电动汽车充电模块、太阳能逆变器等新能源设备中；
在马达驱动系统中，作为 H 桥的上桥或下桥开关，支持快速响应和高效能输出；
同时，它也常用于工业自动化设备中的功率控制部分，如 PLC 控制模块、伺服驱动器等；
此外，7164S25 还可用于 UPS 不间断电源、电池管理系统 BMS、LED 照明驱动以及各种类型的电子负载控制电路中。
IRFZ44N, STP16NF20, FDPF16N20
