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7164S25+(GEN) 发布时间 时间:2025/6/29 22:55:04 查看 阅读:23

7164S25 是一款由 General Semiconductor(通用半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于标准的 TO-220 封装类型。该器件广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、开关电源和电机控制等高电流应用中。其设计旨在提供高效的开关性能和较低的导通电阻,从而减少功耗并提高系统效率。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电压 (VDSS):200V
  最大漏极电流 (ID):16A
  导通电阻 (RDS(on)):0.15Ω @ VGS=10V
  栅极阈值电压 (VGS(th)):2V~4V
  最大耗散功率 (PD):50W
  封装形式:TO-220

特性

7164S25 的核心优势在于其出色的导电性能与热稳定性。
  首先,它的低导通电阻 RDS(on) 为 0.15Ω,在 VGS=10V 的条件下能够实现高效的电流传输,显著降低导通损耗,这对高频开关应用尤为重要。
  其次,该器件具备较高的最大漏极电压(200V)和最大漏极电流(16A),使其适用于中高压应用场景,例如工业电源、电动工具及逆变器等。
  此外,7164S25 的 TO-220 封装提供了良好的散热能力,增强了在高温环境下的稳定性和可靠性,确保长期运行的安全性。
  栅极阈值电压范围在 2V 到 4V 之间,兼容多种驱动电路,包括常见的 CMOS 和 TTL 驱动器,方便用户进行电路设计。
  最后,该器件的最大耗散功率为 50W,表明它能够在较高负载下工作而不至于过热,进一步扩展了其应用范围。

应用

7164S25 主要应用于以下领域:
  在开关电源中,作为主开关或同步整流器使用,以提高转换效率;
  在 DC-DC 转换器中,用于升压或降压电路,特别是在电动汽车充电模块、太阳能逆变器等新能源设备中;
  在马达驱动系统中,作为 H 桥的上桥或下桥开关,支持快速响应和高效能输出;
  同时,它也常用于工业自动化设备中的功率控制部分,如 PLC 控制模块、伺服驱动器等;
  此外,7164S25 还可用于 UPS 不间断电源、电池管理系统 BMS、LED 照明驱动以及各种类型的电子负载控制电路中。

替代型号

IRFZ44N, STP16NF20, FDPF16N20