时间：2025/8/15 16:38:27
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71421SA35TFG是一款由Renesas Electronics设计的高性能、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。这款芯片属于Renesas的高速SRAM系列，专为需要快速存取时间和高可靠性的应用而设计。71421SA35TFG具有32K x 8位的存储容量，适用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等应用场景。其封装形式为52引脚TSOP（薄型小外形封装），适合空间受限的高密度电路设计。
容量：32K x 8位
访问时间：10ns
电源电压：3.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：52引脚TSOP
接口类型：并行
功耗：典型值100mA（待机模式下10mA）
最大工作频率：100MHz
数据保持电压：2.0V
封装尺寸：18.4mm x 12.0mm x 1.0mm
71421SA35TFG采用先进的CMOS技术制造，具备低功耗和高速操作的特点。该芯片的访问时间为10ns，能够满足高速数据处理的需求。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在极端环境下的稳定运行。此外，71421SA35TFG提供数据保持功能，在电源电压降至2.0V时仍能保持数据不丢失，适用于需要长时间数据保存的应用场景。
该SRAM芯片还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持数据的完整性。其并行接口支持快速的数据传输，适用于需要频繁读写操作的系统。52引脚TSOP封装设计不仅节省了PCB空间，还提高了散热性能，确保芯片在高负载运行时的稳定性。另外，71421SA35TFG符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。
71421SA35TFG广泛应用于工业自动化控制系统、通信基础设施、网络路由器和交换机、嵌入式系统、测试与测量设备等领域。由于其高速访问能力和低功耗特性，该芯片也常用于实时数据缓存和高速缓冲存储器设计。在嵌入式系统中，71421SA35TFG可用于存储临时数据、程序代码或作为主处理器的扩展内存。此外，该芯片还适用于需要可靠数据存储的医疗设备和智能仪表，确保关键数据在断电情况下不丢失。
IS61LV25616-10T、CY62148EVLL、AS6C62256-55TC
