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7130LA25PFGI 发布时间 时间:2025/5/12 16:31:20 查看 阅读:5

7130LA25PFGI 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要应用于高效率、高频开关电源及电机驱动领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高电流承载能力和快速动态响应的场景。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,有助于提高散热性能和简化电路板布局。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:10ns
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:PFGI

特性

7130LA25PFGI 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持高达25A的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,能够满足高频应用需求。
  4. 优异的热稳定性,确保在极端温度范围内正常运行。
  5. 内置ESD保护功能,提高了整体可靠性。
  6. 小巧的封装设计,便于PCB布局与安装。

应用

7130LA25PFGI 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器,用于高效能量转换。
  3. 电机驱动与控制,特别是无刷直流电机(BLDC)。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 充电器、逆变器及其他电力电子设备。

替代型号

IRF7130,
  STP25NF06,
  FDP250N06LS

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7130LA25PFGI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥193.66000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 双端口,异步
  • 存储容量8Kb
  • 存储器组织1K x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LQFP
  • 供应商器件封装64-TQFP(14x14)