类型：异步SRAM
　　容量：1Mbit (128K x 8)
　　电压范围：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：10ns（最大）
　　封装类型：TSOP 或 PLCC
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　引脚数量：52 引脚 TSOP 或 44 引脚 PLCC
　　数据宽度：8位
　　读写操作：异步，支持CE、OE、WE控制信号
　　封装尺寸：依据具体封装类型而定
　　封装材料：塑料

71007DE SRAM 芯片具备高速存取能力，访问时间仅需10纳秒，适合对时间要求极为严格的应用场景。其异步接口设计使其在系统集成时更加灵活，能够兼容多种控制器和处理器接口。该芯片支持3.3V或5V电源供电，适应不同电压等级的系统需求，提高了设计的兼容性。此外，该器件具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的系统。
　　71007DE 采用CMOS工艺制造，具有高噪声抑制能力和良好的稳定性，能够在工业级温度范围内可靠运行（-40°C 至 +85°C），适用于各种恶劣环境下的应用。其TSOP和PLCC两种封装形式可选，便于根据PCB空间和布局需求进行选择，适合高密度电路板设计。该SRAM芯片在数据保持期间无需刷新操作，简化了系统设计并提高了数据可靠性。

71007DE 常用于需要高速、高可靠性存储的嵌入式系统中，例如路由器、交换机、工业控制器、打印机、医疗设备、测试仪器和通信模块等。由于其异步接口和宽温工作能力，该芯片也广泛应用于汽车电子、航空航天和军事设备等高要求领域。在嵌入式系统中，它通常被用作缓存、临时数据存储或程序存储。

IDT71007SA、CY62148EVLL、IS61LV10248ALLB、AS7C31026ASC-10TIN、ISSI IS61LV10248ALL