70MT160K 时间：2025/12/26 21:18:29 阅读：16

70MT160K是一款由Microchip Technology（原Microsemi）生产的高可靠性、抗辐射加固的双极结型晶体管（BJT）阵列器件，专为航空航天、国防和高可靠性工业应用设计。该器件属于其RHBD（抗辐射加固）产品线，能够在极端辐射环境下稳定工作，适用于卫星、深空探测器、核能设施以及其他对器件鲁棒性要求极高的场景。70MT160K集成了两个匹配的NPN型晶体管，采用共发射极配置优化设计，具备优异的热稳定性和电气匹配特性，确保在高温、高辐射及剧烈温度循环条件下仍能保持一致的性能表现。该器件采用陶瓷密封封装，符合MIL-PRF-38534 Class K和V标准，具备全面的筛选和认证流程，确保批次一致性与长期可靠性。此外，70MT160K通过了严格的总电离剂量（TID）测试，典型抗辐射能力可达100 krad(Si)，单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅穿（SEGR）免疫电压高于±12V，适用于高能粒子密集环境。

参数

类型：双NPN晶体管阵列
　　封装形式：Ceramic Flat Package (CFP)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：160V
　　最大集电极电流（IC）：500mA
　　直流电流增益（hFE）：最小值50（典型值100）
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　总电离剂量（TID）耐受：100 krad(Si)
　　单粒子效应（SEE）耐受：SEB/SEGR免疫至±12V
　　低剂量率敏感度增强效应（ELDRS）：已加固，无显著退化
　　可靠性等级：MIL-PRF-38534 Class V

特性

70MT160K的核心特性之一是其卓越的抗辐射性能，这使其在高能粒子环境中表现出极强的稳定性。该器件经过专门的工艺优化，采用外延基区结构和深槽隔离技术，有效抑制了由于电离辐射引起的漏电流增加和增益退化问题。其抗总电离剂量能力高达100 krad(Si)，且在低剂量率照射下不会出现ELDRS效应，这是许多传统抗辐射器件所不具备的关键优势。这意味着在地球同步轨道或深空任务中长期暴露于低通量辐射场时，器件性能不会随时间显著下降。
　　另一个关键特性是其双晶体管匹配性。两个集成的NPN晶体管在增益、阈值电压和温度系数方面高度匹配，适合用于差分放大器、电流镜和精密模拟电路中。这种匹配性在高温和辐射环境下仍能保持稳定，确保系统在极端条件下的精度和可预测性。此外，器件具有较高的增益带宽积（250MHz），支持中高频模拟信号处理应用，如射频前端和高速开关电路。
　　陶瓷扁平封装不仅提供了良好的散热性能，还具备优异的气密性，防止湿气和污染物侵入，延长器件在恶劣环境下的使用寿命。该封装符合宇航级机械强度标准，能够承受多次热循环和强烈振动。所有引脚均采用金材质，确保焊接可靠性和长期接触稳定性。此外，70MT160K在出厂前经过100%的参数测试和老化筛选，包括辐射暴露预处理，以剔除潜在缺陷单元，确保交付产品的高良率和高可靠性。

应用

70MT160K主要用于对可靠性要求极高的航天电子系统中，例如通信卫星的姿态控制单元、星载计算机的接口电路、遥测数据采集模块以及电源管理单元中的反馈控制环路。其抗辐射特性使其成为地球轨道、月球探测乃至火星任务中电子系统的理想选择。在军用航空电子设备中，该器件可用于雷达信号调理电路、惯性导航系统的传感器接口和高可靠性电源转换器中，确保在电磁干扰和宇宙射线环境下持续稳定运行。
　　此外，70MT160K也适用于核反应堆监测系统、高能物理实验装置（如粒子加速器）中的前端读出电路，以及需要长期无人值守运行的深海或极地探测设备。在这些应用中，维修成本极高甚至不可行，因此必须使用经过严格验证的抗辐射、长寿命器件。该器件还可用于构建高精度参考源、低噪声前置放大器和高速开关逻辑电路，尤其适合需要在宽温范围内保持参数一致性的模拟设计。由于其双晶体管结构，常被用于构建差分对或推挽输出级，提升系统信噪比和驱动能力。