70C10BF 时间：2025/12/28 21:32:19 阅读：15

70C10BF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于各种功率电子设备，如电源转换器、电机控制和负载开关等。70C10BF 采用 TO-220 封装形式，具有良好的热性能和高电流承载能力。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100V
　　最大漏极电流 Id：70A
　　最大功耗 Pd：150W
　　导通电阻 Rds(on)：≤ 8.5mΩ @ Vgs = 10V
　　栅极电荷 Qg：190nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

70C10BF 作为一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，具有以下几个显著的特性：
　　首先，其最大漏源电压为 100V，最大漏极电流可达 70A，能够在高功率条件下稳定工作。这种电气参数使得它非常适合用于高电流和高电压的开关电路中。
　　其次，70C10BF 的导通电阻非常低，典型值为 8.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。在高频开关应用中，低导通电阻还能减少发热，提升设备的可靠性。
　　此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 190nC，这一参数决定了其在开关过程中的响应速度和驱动能力。较低的栅极电荷意味着可以实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频变换器和 DC-DC 转换器等应用场景。
　　70C10BF 还具备良好的热稳定性，采用 TO-220 封装，散热性能优异，可以在恶劣的温度环境下正常运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合工业级和汽车电子应用的需求。
　　最后，由于其高耐压、大电流能力和低导通电阻，70C10BF 在负载开关、H 桥电机控制和同步整流器中表现出色，是许多高功率应用中的首选器件。