类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

70C10B MOSFET 具备多项优良的电气和热性能特性。首先，其漏源电压高达 600V，使其适用于多种高压应用场景，如工业电源和电机驱动系统。其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）最大值为 1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，70C10B 的栅源电压为 ±30V，具备较强的抗过压能力，提高了使用的可靠性。
　　该 MOSFET 的连续漏极电流为 7A，在高负载条件下依然能保持稳定的工作状态。同时，其脉冲漏极电流可达 28A，适用于需要瞬时高电流的负载场合。70C10B 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该器件还具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度并减少开关损耗，非常适合高频开关电源和 DC-DC 转换器的应用。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应广泛的工业环境条件。

70C10B 广泛应用于多种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该 MOSFET 特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业控制系统。此外，该器件也常用于照明设备、不间断电源（UPS）以及家用电器中的功率控制部分。

STP7NK60Z, IRF840, FQP7N60